[发明专利]快闪存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括擦除区、浮栅区和字线位线区，所述浮栅区位于擦除区两侧，且浮栅区与擦除区邻接，所述字线位线区位于擦除区和浮栅区两侧，且字线位线区与浮栅区邻接；

位于所述半导体衬底擦除区上的擦除栅极结构；

位于半导体衬底浮栅区上的浮栅极结构；

位于浮栅极结构上的平行排布的侧墙和第一字线结构，所述浮栅极结构和侧墙覆盖擦除栅极结构侧壁，所述侧墙位于擦除栅极结构和第一字线结构之间，且所述侧墙覆盖所述第一字线结构侧壁；

位于半导体衬底字线位线区上的第二字线结构，所述第二字线结构覆盖第一字线结构和浮栅极结构侧壁，且第二字线结构与第一字线结构电连接，所述第二字线结构包括覆盖浮栅极结构侧壁和半导体衬底字线位线区表面的第二字线氧化层。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述侧墙的厚度为200埃～400埃。

3.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述浮栅极结构的顶部表面呈凹陷状；所述浮栅极结构的部分顶部表面和侧壁表面构成尖端，所述浮栅极结构具有尖端的侧壁朝向擦除栅极结构。

4.根据权利要求1或3所述的快闪存储器，其特征在于，所述擦除栅极结构还覆盖部分浮栅极结构顶部表面。

5.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述第一字线结构包括：第一字线氧化层和位于第一字线氧化层表面的第一字线层，所述第一字线氧化层覆盖部分浮栅极结构表面；所述第二字线结构还包括：位于第二字线氧化层表面的第二字线层；所述第一字线层和第二字线层相连接。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，包括擦除区、浮栅区和字线位线区，所述浮栅区位于擦除区两侧，且浮栅区与擦除区邻接，所述字线位线区位于擦除区和浮栅区两侧，且字线位线区与浮栅区邻接；

形成位于所述半导体衬底擦除区上的擦除栅极结构、分别位于半导体衬底浮栅区上的浮栅极结构、位于浮栅极结构上的侧墙、以及位于浮栅极结构上的第一字线结构，所述浮栅极结构和侧墙覆盖擦除栅极结构侧壁，所述侧墙与第一字线结构平行排布，所述侧墙位于擦除栅极结构和第一字线结构之间，且所述侧墙覆盖所述第一字线结构侧壁；

形成位于半导体衬底字线位线区上的第二字线结构，所述第二字线结构覆盖第一字线结构和浮栅极结构侧壁，且第二字线结构与第一字线结构电连接；所述第二字线结构包括覆盖浮栅极结构侧壁和半导体衬底字线位线区表面的第二字线氧化层。

7.根据权利要求6所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，形成所述擦除栅极结构、浮栅极结构、侧墙和第一字线结构的方法包括：

在半导体衬底的上形成浮栅极结构膜；在浮栅极结构膜和半导体衬底上形成若干分立的介质层，相邻的介质层之间具有第一开口，第一开口暴露出浮栅区和字线位线区的浮栅极结构膜；在第一开口的侧壁表面形成侧墙，所述侧墙还位于浮栅区半导体衬底上；形成侧墙后，在第一开口内形成第一字线结构，所述第一字线结构位于浮栅区的浮栅极结构膜上，且所述第一字线结构覆盖侧墙侧壁；形成第一字线结构后，去除第一开口底部暴露出的字线位线区上的浮栅极结构膜，直至暴露出字线位线区半导体衬底，使得所述第一开口形成为第二开口；形成第二开口后，去除擦除区上的介质层和擦除区上的浮栅极结构膜，形成浮栅极结构和第三开口，所述第三开口在介质层中，且所述第三开口还延伸至浮栅极结构膜中，第三开口底部暴露出擦除区半导体衬底；在第三开口中形成擦除栅极结构。

8.根据权利要求7所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述擦除栅极结构之前，对所述第三开口底部的半导体衬底进行离子掺杂，形成源区。