[其他]喷头

说明书

本文提供了喷头和包含喷头的处理室。在一些实施方式中，喷头包括具有中央部分和外部分的主体，其中外部分包括从中央部分向上延伸的环形壁和从环形壁径向向外延伸的凸缘；穿过中央部分设置的多个孔；环形台阶部分，设置在多个孔中最外面的孔的径向外侧且在外部分的径向内侧；多个定位特征，围绕喷头的中心轴布置并形成在外部分的周边中；和多个耦合特征，围绕中心轴布置并形成在外部分的周边中。

技术领域

本公开内容的实施方式一般涉及一种喷头和包含该喷头的处理室。

背景技术

可靠地生产亚微米和更小的特征是下一代半导体装置的大规模集成电路 (VLSI)和超大规模集成电路(ULSI)的关键技术之一。然而，随着电路技术的边缘受到压制，VLSI和ULSI技术中的尺寸缩小的互连会需要额外的处理能力。位于VLSI和ULSI技术核心的多级互连使用高的深宽比的特征(例如通孔和其他互连)的精确处理。这些互连的可靠的形成对于VLSI和ULSI的成功非常重要，并且对于增加单个基板的电路密度和质量的持续努力非常重要。

随着电路密度的增加，互连(例如通孔，沟槽，触点和其他特征)的宽度，以及之间的介电材料的厚度减小，而介电层的厚度保持基本恒定，导致特征的高度对宽度的深宽比增加。许多传统的沉积处理难以填充深宽比超过4：1的亚微米结构，特别是在深宽比超过10：1的情况下。因此，正在进行大量的持续努力以形成具有高的深宽比的基本上无空隙和无缝的亚微米特征。

原子层沉积(ALD)是一种经开发而用于在具有高深宽比的特征上沉积材料层的沉积技术。ALD处理的一个实例包括顺序地引入气体脉冲。例如，用于顺序地引入气体脉冲的一个循环可以包含第一反应气体的脉冲，接着是净化气体的脉冲和/或泵抽空，接着是第二反应气体的脉冲，并且接着是净化气体的脉冲和/或泵抽空。本文使用的术语“气体”定义为包括单一气体或多种气体。顺序地引入第一反应物和第二反应物的单独脉冲可导致基板表面上反应物的单层的交替自限吸收，并因此每个循环会形成单层材料。可以将循环重复直至达到沉积材料的所需的厚度。在第一反应气体的脉冲和第二反应气体的脉冲之间的净化气体脉冲和/或泵抽空用于降低(因过量的反应物残留在腔室中所致的)反应物的气相反应的可能性。

在用于ALD处理的一些腔室设计中，使用漏斗盖传送前驱物和气体，其中前驱物通过漏斗盖而分布在漏斗形盖子上方的多个注射器中。注射器产生注入气体的圆周运动，其将通过盖子中心的漏斗轮廓来分布。气体/ALD前驱物的旋转惯性将分子从中心分布到边缘，从而改善沉积的均匀性。然而，在一些应用中，发明人已经观察到在被处理的基板的中心附近的环形沉积轮廓。环形沉积轮廓被认为是由盖子的漏斗形状引起的，并且对客户而言可能导致有整体性的问题。

因此，发明人提供了用于基板处理室的改良的喷头。

实用新型内容

本文提供了喷头和包含喷头的处理室。在一些实施方式中，一种喷头，该喷头包括：主体，该主体具有中央部分和外部分，其中该外部分包括从该中央部分向上延伸的环形壁和从该环形壁径向向外延伸的凸缘；多个孔，该多个孔被设置成通过该中央部分；环形台阶部分，该环形台阶部分被设置在该多个孔中最外面的孔的径向外侧并且在该外部分的径向内侧；多个定位特征，该多个定位特征围绕该喷头的中心轴布置并形成在该外部分的周边中，其中该多个定位特征被配置成接收相应的处理室的多个对准特征，其中该处理室安装有该喷头，并且其中该多个定位特征被配置成允许该喷头的热膨胀；和多个耦合特征，该多个耦合特征围绕该中心轴布置并形成在该外部分的该周边中，其中该多个耦合特征被配置成接收相应的多个固定元件，以将该喷头连接到该处理室，并且其中该多个耦合特征被配置成允许该喷头的热膨胀。