[其他]喷头有效
| 申请号: | 201890001076.8 | 申请日: | 2018-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN212542358U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
| 发明(设计)人: | 马里奥·丹·桑切斯;穆罕默德·M·拉希德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 喷头 | ||
1.一种喷头,其特征在于所述喷头包括:
主体,所述主体具有中央部分和外部分,其中所述外部分包括从所述中央部分向上延伸的环形壁和从所述环形壁径向向外延伸的凸缘;
多个孔,所述多个孔被设置成通过所述中央部分;
环形台阶部分,所述环形台阶部分被设置在所述多个孔中最外面的孔的径向外侧并且在所述外部分的径向内侧;
多个定位特征,所述多个定位特征围绕所述喷头的中心轴布置并形成在所述凸缘的周边中,其中所述多个定位特征被配置成接收相应的处理室的多个对准特征,其中所述处理室安装有所述喷头,并且其中所述多个定位特征被配置成允许所述喷头的热膨胀;和
多个耦合特征,所述多个耦合特征围绕所述中心轴布置并形成在所述凸缘的所述周边中,其中所述多个耦合特征被配置成接收相应的多个固定元件,以将所述喷头连接到所述处理室,并且其中所述多个耦合特征被配置成允许所述喷头的热膨胀。
2.如权利要求1所述的喷头,其中以下至少一者:
所述喷头的总外径在16英寸和17.5英寸之间;或
所述喷头的总高度在1英寸和1.5英寸之间。
3.如权利要求1所述的喷头,其中所述凸缘的垂直厚度在0.5英寸和0.6英寸之间。
4.如权利要求1所述的喷头,其中从所述凸缘的第一最上表面到所述环形台阶部分的第二最上表面的垂直距离在0.5英寸和1英寸之间。
5.如权利要求1所述的喷头,其中所述中央部分的厚度在0.2英寸和0.5英寸之间。
6.如权利要求1所述的喷头,其中所述环形台阶部分的第一内径在12英寸和13英寸之间。
7.如权利要求1所述的喷头,其中所述环形壁的第二内径在12.5英寸和13.5英寸之间。
8.如权利要求1所述的喷头,其中,所述中央部分的最下表面的外径在13.5英寸和14.5英寸之间。
9.如权利要求1至8中的任一项所述的喷头,其中以下至少一者:
所述多个定位特征是多个第一槽;或
所述多个耦合特征是多个第二槽。
10.如权利要求9所述的喷头,其中所述多个定位特征是所述多个第一槽,并且所述多个第一槽是围绕所述中心轴轴对称地布置的三个第一槽,并且每者具有在0.0001英寸和0.005英寸之间的第一宽度。
11.如权利要求9所述的喷头,其中所述多个耦合特征是所述多个第二槽,并且其中所述多个第二槽介于3至24个槽之间,每个槽具有介于0.23英寸与0.24英寸之间的第二宽度。
12.如权利要求1至8中的任一项所述的喷头,其中所述多个孔中的每一个是具有埋头部分和孔部分的埋头孔,其中所述埋头部分经形成而穿过所述中央部分的最下表面,其中埋头部分的深度在所述孔部分的孔直径的1至2倍之间,并且其中所述埋头部分的埋头角度在25度至45度之间。
13.如权利要求12所述的喷头,其中所述孔直径在0.012英寸和0.06英寸之间。
14.如权利要求1至8中的任一项所述的喷头,其中所述多个孔在1,000和3,000个孔之间,并且其中所述多个孔中的最外面的孔被设置在待使用所述喷头加以处理的基板的直径处或直径处的外部分。
15.如权利要求1至8中的任一项所述的喷头,其中所述多个孔中最外面的孔与所述环形台阶部分的内边缘之间的径向距离在0英寸和0.1英寸之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





