[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置具备：第二导电型的埋设区(20)，其被埋入于第一导电型的半导体衬底(10)的上表面的一部分；第二导电型的第一半导体区(30)，其覆盖埋设区(20)而配置于半导体衬底(10)的上方，并且杂质浓度比埋设区(20)低；第一导电型的连接区(40)，其在配置有第一半导体区(30)的区域的剩余区域处被埋入于半导体衬底(10)的上表面的一部分，并且侧面与作为第一半导体区(30)的下部的一部分的延伸区(31)连接；以及第一导电型的第二半导体区(50)，其配置于连接区(40)的上表面，并且侧面与第一半导体区(30)连接。第一半导体区(30)的延伸区(31)在第二半导体区(50)的端部的下方延伸而与连接区(40)的侧面相接。

技术领域

本发明涉及主电流的电流路径与主面平行的半导体装置。

背景技术

为了提高半导体装置的耐压，研究了各种对策。例如，公开了在MOSFET(metaloxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)的栅极与漏区之间配置场板的构造(参照专利文献1)。在专利文献1所记载的发明中，通过在形成于栅极与漏区之间的热氧化膜之上配置场板，提高半导体装置的耐压。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-7327号公报

发明内容

发明所要解决的课题

近年来，对半导体装置的耐压的要求提高。与此相对，对于在导通动作中流动的主电流与半导体衬底的主面平行的半导体装置(以下，称为“横向半导体装置”)难以实现充分的耐压。本发明的目的在于提供一种能够提高耐压的横向半导体装置。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的半导体衬底；第二导电型的埋设区，其被埋入于半导体衬底的上表面的一部分；第二导电型的第一半导体区，其覆盖埋设区而选择性地配置于半导体衬底的上方，并且杂质浓度比埋设区低；第一导电型的连接区，其在配置有第一半导体区的区域的剩余区域处被埋入于半导体衬底的上表面的一部分，并且侧面与作为第一半导体区的下部的一部分的延伸区连接；以及第一导电型的第二半导体区，其配置于连接区的上表面，并且侧面与第一半导体区连接，第一半导体区的延伸区在第二半导体区的端部的下方延伸而与连接区的侧面相接。

发明效果

根据本发明，可提供一种能够提高耐压的横向半导体装置。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的半导体装置的结构的示意性剖视图。

图2是用于说明本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图(其1)。

图3是用于说明本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图(其2)。

图4是用于说明本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图(其3)。

图5是用于说明本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的示意性剖视图(其4)。

图6是表示本发明的其他实施方式的半导体装置的结构的示意性剖视图。

具体实施方式

接着，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，对相同或类似的部分标注相同或类似的附图标记。但是，应该注意的是，附图是示意性的，各层的厚度的比率等与现实不同。因此，具体的厚度、尺寸应参考以下的说明进行判断。另外，在附图相互之间当然也包含相互的尺寸的关系、比率不同的部分。