[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，其具备：

第一导电型的半导体衬底；

第二导电型的埋设区，其被埋入于所述半导体衬底的上表面的一部分；

第二导电型的第一半导体区，其覆盖所述埋设区而选择性地配置于所述半导体衬底的上方，并且杂质浓度比所述埋设区低；

第一导电型的连接区，其在配置有所述第一半导体区的区域的剩余区域处被埋入于所述半导体衬底的上表面的一部分，并且侧面与延伸区连接，该延伸区是所述第一半导体区的下部的一部分；

第一导电型的第二半导体区，其配置于所述连接区的上表面，并且侧面与所述第一半导体区连接；

第二导电型的漏区，其配置于所述第一半导体区的上表面的一部分；

第二导电型的源区，其配置于所述第二半导体区的上表面的一部分；以及

栅极，其在所述漏区与所述源区之间配置于所述第二半导体区的上方，

所述第一半导体区的所述延伸区在所述第二半导体区的端部的下方延伸而与所述连接区的侧面相接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述埋设区的与所述第二半导体区对置的端部处于比所述第一半导体区与所述第二半导体区连接的界面更接近所述漏区的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述埋设区的与所述第二半导体区对置的端部位于所述栅极与所述漏区之间。