[发明专利]一种辐射检测器

说明书

本文公开一种辐射检测器系统，其包括：辐射检测器(400)，所述辐射检测器(400)包括半导体衬底和所述半导体衬底中的像素阵列，其中所述像素阵列包括(a)M个第一行像素(150.1)，以及(b)N个第二行像素(150.2)，M和N均为大于1的正整数，并且其中所述N个第二行像素(150.2)的每个像素在垂直于直线段的辐射方向(320)上大于所述M个第一行像素(150.1)的任何像素，所述直线段具有所述M个第一行像素(150.1)的第一行末端像素中的第一末端和所述M个第一行像素(150.1)的第二行末端像素中的第二末端。

【技术领域】

本文的公开涉及辐射检测器，尤其涉及半导体辐射检测器。

【背景技术】

辐射检测器是一种测量辐射特性的装置。所述特性的示例可包括辐射的强度、相位、和极化的空间分布。所述辐射可以是与物体相互作用的辐射。例如，由所述辐射检测器测量的辐射可以是从所述物体穿透或散射的辐射。所述辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、X射线、或γ射线。所述辐射可以是其他类型，例如α射线和β射线。

一种类型的辐射检测器基于辐射和半导体之间的相互作用。例如，这种类型的辐射检测器可具有吸收所述辐射并产生载流子(例如，电子和空穴)的半导体层和用于检测所述载流子的电路。

【发明内容】

本文公开一种辐射检测器系统，其包括：辐射检测器，所述辐射检测器包括半导体衬底和所述半导体衬底中的像素阵列，其中所述像素阵列包括(a)M个第一行像素，和(b)N个第二行像素，M和N均为大于1的正整数，并且其中所述N个第二行像素的每个像素在垂直于直线段的辐射方向上大于所述M个第一行像素的任何像素，所述直线段具有所述M个第一行像素的第一行末端像素中的第一末端和所述M个第一行像素的第二行末端像素中的第二末端。

根据实施例，每一个所述M个第一行像素和每一个所述N个第二行像素均能够响应于入射在其上的辐射而产生载流子。。

根据实施例，所述辐射检测器被配置为允许辐射沿着穿过所述M个第一行像素中的一个和所述N个第二行像素中的一个的第一辐射直线到达所述M个第一行像素。

根据实施例，所述辐射检测器系统进一步包括辐射源，所述辐射源被配置为沿着穿过所述M个第一行像素中的一个像素和所述N个第二行像素中的一个像素的第二辐射直线向所述辐射检测器的所述M个第一行像素发射辐射。

根据实施例，所述像素阵列进一步包括P个第三行像素，P是大于1的正整数，其中所述N个第二行像素被配置在所述M个第一行像素和所述P个第三行像素之间，并且其中所述P个第三行像素的每个像素在所述辐射方向上大于所述N个第二行像素的任何像素。

根据实施例，所述半导体衬底包括GaAs。

根据实施例，M和N都大于2。

根据实施例，所述辐射检测器进一步包括公共电极，其电连接到所述M个第一行像素的每个像素和所述N个第二行像素的每个像素。

根据实施例，所述辐射检测器进一步包括单独电极，其用于并电连接到所述M个第一行像素的每个像素和所述N个第二行像素的每个像素。

根据实施例，所述辐射检测器系统进一步包括在所述公共电极上并与所述公共电极直接物理接触的散热器。

本文公开一种方法，其包括：在第一辐射曝光期间，将辐射检测器在第一曝光位置曝光于在辐射方向上传播的辐射，所述辐射检测器包括半导体衬底和所述半导体衬底中的像素阵列，其中所述像素阵列包括M个第一行像素和N个第二行像素，M和N都是大于1的正整数，使得所述辐射入射在所述M个第一行像素上，使得与所述辐射方向平行的第一直线穿过所述M个第一行像素中的一个像素和所述N个第二行像素中的一个像素，并且使得具有所述M个第一行像素的第一行末端像素中的第一末端和所述M个第一行像素的第二行末端像素中的第二末端的直线段垂直于辐射方向。