[发明专利]一种辐射检测器

权利要求书

1.一种辐射检测器系统，其包括：辐射检测器，所述辐射检测器包括半导体衬底和所述半导体衬底中的像素阵列，

其中所述像素阵列包括(a)M个第一行像素，以及(b)N个第二行像素，M和N均为大于1的正整数，并且

其中所述N个第二行像素的每个像素在垂直于直线段的辐射方向上大于所述M个第一行像素的任何像素，所述直线段具有所述M个第一行像素的第一行末端像素中的第一末端和所述M个第一行像素的第二行末端像素中的第二末端。

2.如权利要求1所述的辐射检测器系统，其中每一个所述M个第一行像素和每一个所述N个第二行像素均能够响应于入射在其上的辐射而产生载流子。

3.如权利要求2所述的辐射检测器系统，其中所述辐射检测器被配置为允许辐射沿着穿过所述M个第一行像素中的一个像素和所述N个第二行像素中的一个像素的第一辐射直线到达所述M个第一行像素。

4.如权利要求1所述的辐射检测器系统，其进一步包括辐射源，所述辐射源被配置为沿着穿过所述M个第一行像素中的一个和所述N个第二行像素中的一个的第二辐射直线向所述辐射检测器的所述M个第一行像素发射辐射。

5.如权利要求1所述的辐射检测器系统，

其中所述像素阵列进一步包括P个第三行像素，P是大于1的正整数，

其中所述N个第二行像素被配置在所述M个第一行像素和所述P个第三行像素之间，并且

其中所述P个第三行像素的每个像素在所述辐射方向上大于所述N个第二行像素的任何像素。

6.如权利要求5所述的辐射检测器系统，其中所述半导体衬底包括GaAs。

7.如权利要求1所述的辐射检测器系统，其中M和N都大于2。

8.如权利要求1所述的辐射检测器系统，其中所述辐射检测器进一步包括公共电极，其电连接到所述M个第一行像素的每个像素和所述N个第二行像素的每个像素。

9.如权利要求8所述的辐射检测器系统，其中所述辐射检测器进一步包括单独电极，其用于并电连接到所述M个第一行像素的每个像素和所述N个第二行像素的每个像素。

10.如权利要求9所述的辐射检测器系统，其进一步包括在所述公共电极上并与所述公共电极直接物理接触的散热器。

11.一种方法，其包括：

在第一辐射曝光期间，将辐射检测器在第一曝光位置曝光于在辐射方向上传播的辐射，所述辐射检测器包括半导体衬底和所述半导体衬底中的像素阵列，其中所述像素阵列包括M个第一行像素和N个第二行像素，M和N都是大于1的正整数，

使得所述辐射入射在所述M个第一行像素上，

使得与所述辐射方向平行的第一直线穿过所述M个第一行像素中的一个像素和所述N个第二行像素中的一个像素，并且

使得具有所述M个第一行像素的第一行末端像素中的第一末端和所述M个第一行像素的第二行末端像素中的第二末端的直线段垂直于辐射方向。

12.如权利要求11所述的方法，其进一步包括，在前述所述第一辐射曝光期间将所述辐射检测器在所述第一曝光位置处曝光于所述辐射被执行后：

处理来自所述M个第一行像素的数据，得到第一行1D图像；以及

处理来自所述N个第二行像素的数据，得到第二行1D图像。