[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置、电力转换装置以及移动体

说明书

在金属图案(5)连接有半导体芯片(6、7)。电极(9)的塌角面(15)与金属图案(5)接合。在电极(9)的毛刺面(16)的端部存在毛刺(20)。毛刺面(16)的端部的压溃量小于或等于10μm。

技术领域

本发明涉及将电极与金属图案接合的半导体装置的制造方法、半导体装置、电力转换装置以及移动体。

背景技术

如果通过冲裁而形成电极(例如，参照专利文献1(第0012段、图2))，则电极的塌角面的相反侧成为毛刺面。在将电极的塌角面超声波接合于金属图案时，将光照射于电极的毛刺面，通过超声波接合装置的照相机进行图像识别、对位。

专利文献1：日本特开平09-312373号公报

发明内容

在冲裁时，有时在连续模具内意外地对毛刺面进行冲压，会将毛刺压溃。在这种情况下，在照相机图像中电极的外周变得模糊，有时无法使电极的形状清晰地图像化，会产生误识别。因此，超声波接合的接合品质下降，因此，存在损害可靠性的问题。另外，有时由于识别错误，造成装置的动作停止等故障。因此，电极的超声波接合作业耗费时间，需要作业员始终在场，无法削减工时，难以转变为自动化。其结果，存在生产效率下降这一问题。

本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于得到能够提高可靠性和生产效率的半导体装置的制造方法、半导体装置、电力转换装置以及移动体。

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：金属图案；半导体芯片，其与所述金属图案连接；以及电极，其具有与所述金属图案接合的塌角面和在端部存在毛刺的毛刺面，所述毛刺面的所述端部的压溃量小于或等于10μm。

发明的效果

在本发明中，使毛刺面的端部的压溃量小于或等于10μm。由此，防止了电极的误识别，超声波接合的接合品质提高。其结果，能够提高可靠性和生产效率。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的剖面图。

图2是表示电极的斜视图。

图3是表示电极的侧视图。

图4是将图3的被圆圈包围的部分放大后的斜视图。

图5是电极的剖面图。

图6是将电极的切断部分放大后的斜视图。

图7是表示将电极的塌角面超声波接合于金属图案的情形的剖面图。

图8是表示将电极的毛刺面超声波接合于金属图案的情形的剖面图。

图9是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造工序的剖面图。

图10是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造工序的剖面图。

图11是表示毛刺面的端部的压溃量小于或等于10μm的电极的剖面图。

图12是表示毛刺面的端部的压溃量大于10μm的电极的剖面图。

图13是表示对毛刺面的端部的压溃量和能否由照相机识别进行调查而得出的实验数据的图。

图14是表示实施方式2涉及的半导体装置的电极的斜视图。

图15是表示实施方式3涉及的半导体装置的电极的斜视图。

图16是表示电力转换系统的结构的框图，在该电力转换系统中应用了实施方式4涉及的电力转换装置。

图17是表示实施方式5涉及的移动体的图。

具体实施方式