[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置、电力转换装置以及移动体

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

将半导体芯片与金属图案连接；

通过冲裁而形成电极；以及

通过照相机对所述电极的毛刺面进行识别，使超声波接合工具进行按压，将所述电极的塌角面超声波接合于所述金属图案，

在所述毛刺面的端部存在毛刺，

所述毛刺面的所述端部的压溃量小于或等于10μm。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

将半导体芯片与金属图案连接；

通过冲裁而形成电极；

在所述电极的毛刺面的角部形成标记形状；以及

通过照相机对形成有所述标记形状的所述毛刺面进行识别，使超声波接合工具进行按压，将所述电极的塌角面超声波接合于所述金属图案。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过机械加工而形成所述标记形状。

4.一种半导体装置，其特征在于，具有：

金属图案；

半导体芯片，其与所述金属图案连接；以及

电极，其具有与所述金属图案接合的塌角面和在端部存在毛刺的毛刺面，

所述毛刺面的所述端部的压溃量小于或等于10μm。

5.一种半导体装置，其特征在于，具有：

金属图案；

半导体芯片，其与所述金属图案连接；以及

电极，其具有与所述金属图案接合的塌角面和在端部存在毛刺的毛刺面，

在所述毛刺面的角部设置有标记形状。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述标记形状呈L字形。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。

8.一种电力转换装置，其具有：

主转换电路，其具有权利要求4～7中任一项所述的半导体装置，该主转换电路对被输入来的电力进行转换而输出；

驱动电路，其将对所述半导体装置进行驱动的驱动信号向所述半导体装置输出；以及

控制电路，其将对所述驱动电路进行控制的控制信号向所述驱动电路输出。

9.一种移动体，其特征在于，

使用权利要求8所述的电力转换装置而进行电力控制。