[发明专利]接合系统以及接合方法在审
申请号: | 201880097003.8 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN112640039A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 须贺唯知;山内朗 | 申请(专利权)人: | 邦德泰克株式会社;须贺唯知 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/60 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 系统 以及 方法 | ||
一种芯片接合系统,具备:活化处理装置(60),具有框保持部(621)和粒子束源(61),该粒子束源(61)通过对保持于框保持部(621)的粘贴有芯片(CP)的片材(TE)照射粒子束而使芯片(CP)的接合面(CPf)活化;以及键合装置,通过使接合面(CPf)已被活化处理装置(60)活化的芯片(CP)与基板接触而将其接合于基板。框保持部(621)以使保持由树脂形成并粘贴有芯片(CP)的片材(TE)的保持框(112)的片材(TE)的粘贴有芯片(CP)的一面侧露出于粒子束源(61)侧的姿势来支承保持框(112)。
技术领域
本发明涉及接合系统以及接合方法。
背景技术
也提出了一种对两个被接合物的接合面实施了等离子处理后,使两个被接合物的接合面彼此接触而接合的方法(例如,参照专利文献1)。在此,等离子处理通过暴露于氧、氩、NH3以及CF4 RIE(Reactive Ion Etching:反应离子刻蚀)的等离子中的任一种来进行。并且,正在提供一种在向芯片的与基板接合的接合面实施了等离子处理后,使芯片的接合面与基板接触而将芯片接合于基板的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2003-523627号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而,如专利文献1所述,在进行将芯片的接合面暴露于等离子的处理的情况下,被刻蚀的物质由于重力而作为颗粒(particle)返回至接合面,或者从芯片的接合面产生的杂质中的已离子化的物质再次与接合面碰撞,由此,有时在接合面附着由其他材料构成的杂质而使接合强度恶化。在该情况下,恐怕会产生芯片与基板的接合不良。
本发明是鉴于上述事由而完成的,其目的在于提供一种抑制了第一被接合物与第二被接合物的接合不良的产生的接合系统以及接合方法。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的,本发明的芯片接合系统是将第二被接合物接合于第一被接合物的接合系统,所述芯片接合系统具备:活化处理装置,具有:对象物支承部,支承至少包括所述第二被接合物的对象物;以及粒子束源,通过对所述对象物照射粒子束而使所述第二被接合物的接合面活化,在将所述对象物不对置配置地设置于一个处理面之后,通过粒子束源进行活化处理;以及接合装置,通过使所述接合面已被所述活化处理装置活化的所述第二被接合物与所述第一被接合物接触来将所述第二被接合物接合于所述第一被接合物,所述对象物支承部以使所述对象物中的第二被接合物的包括所述接合面的由多种材料形成的部分露出于所述粒子束源侧的姿势来支承所述对象物。
从其他观点来看的本发明的芯片接合方法是将第二被接合物接合于第一被接合物的接合方法,包括:第一活化工序,将至少包括所述第二被接合物的对象物不对置配置地设置于一个处理面,并通过对所述对象物中的第二被接合物的包括接合面的由多种材料形成的部分照射粒子束来使所述第二被接合物的接合面活化;以及接合工序,通过使所述接合面已被活化的所述第二被接合物与所述第一被接合物接触来将所述第二被接合物接合于所述第一被接合物。
发明效果
根据本发明,对象物支承部以使对象物中的第二被接合物的包括接合面的由多种材料形成的部分露出于粒子束源侧的姿势来支承对象物,粒子束源通过对对象物照射粒子束来使第二被接合物的接合面活化。即,通过对至少包括第二被接合物的对象物中的第二被接合物的包括接合面的由多种材料形成的部分照射粒子束来使第二被接合物的接合面活化。由此,抑制了由于粒子束的照射而从对象物产生的杂质向第二被接合物的接合面的碰撞,抑制了因杂质的碰撞而在第二被接合物的接合面附着由其他材料构成的杂质而引起的接合强度的恶化。因此,抑制了第一被接合物与第二被接合物的接合不良的产生。
附图说明
图1是本发明的实施方式的芯片接合系统的概略构成图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造