[发明专利]减少装置覆盖误差

说明书

本发明提供过程控制方法、计量目标及生产系统以减少或消除过程覆盖误差。计量目标具有一(多)对具有不同分段的周期结构，例如，在所述对的一个周期结构中无分段，而在所述对的另一周期结构中具有类似装置的分段。过程控制方法直接在先前层处的所述周期结构的生产之后及在当前层处的所述周期结构的生产之前从所述先前层处的所述周期结构导出计量测量，并使用所述导出的测量来调整作为所述当前层的生产的一部分的光刻阶段。生产系统将光刻工具及计量工具集成到生产反馈回路中，所述生产反馈回路实现了逐层过程调整。

背景技术

1.技术领域

本发明涉及半导体计量领域，且更特定来说，涉及消除或减少过程覆盖误差。

2.相关技术讨论

随着半导体制造中的节点大小的减小，过程覆盖误差的影响变得越来越显著。

发明内容

以下是提供对本发明的初步理解的简化概述。此概述不一定识别关键要素也不限制本发明的范围，而仅用作对以下描述的介绍。

本发明的一个方面提供一种过程控制方法，其利用至少在光刻制备中的晶片的先前层及当前层处具有周期结构的计量目标，所述过程控制方法包括：直接在先前层处的周期结构的生产之后及在当前层处的周期结构的生产之前从先前层处的周期结构导出计量测量，并使用导出的测量来至少调整作为当前层的生产的一部分的光刻阶段。

本发明的这些、额外及/或其它方面及/或优点在下面的详细描述中阐述；可能从详细描述中推断；及/或可通过本发明的实践来学习。

附图说明

为了更好地理解本发明的实施例，并为了展示如何实施本发明，现在将仅通过实例的方式参考附图，附图中相同的数字始终标示对应的元件或部分。

在附图中：

图1A及1B是根据本发明的一些实施例的过程控制方法的高级示意框图。

图2A到2C是根据本发明的一些实施例的适用于计量目标的设计原理的高级示意图。

图3及4是根据本发明的一些实施例的与所公开的测量方法有关的生产后的计量目标的高级示意图。

图5是根据本发明的一些实施例的计量散射测量目标的高级示意图，其经设计为并排印刷以采用过程控制方法。

图6A、6B、7A及7B是根据本发明的一些实施例的生产系统的高级示意图。

具体实施方式

在以下描述中，描述了本发明的各个方面。为了解释的目的，阐述了特定配置及细节，以便提供对本发明的透彻理解。然而，对于所属领域的技术人员来说也将显而易见的是，本发明可在没有本文中所呈现的特定细节的情况下实践。此外，为了不模糊本发明，可省略或简化众所周知的特征。特定地参考附图，强调所示的细节仅作为实例且仅用于本发明的说明性讨论，为了提供被认为是本发明的原理及概念方面的最有用且最容易理解的描述而呈现。在这方面，并不试图比基本理解本发明所必需的更详细地展示本发明的结构细节，结合附图进行的描述使所属领域的技术人员显而易见地知道如何在实践中实现本发明的几种形式。

在详细解释本发明的至少一个实施例之前，应理解，本发明的应用不限于以下描述中所述或附图中所示的组件的构造及布置的细节。本发明适用于可以各种方式实践或执行的其它实施例以及所公开的实施例的组合。此外，应理解，本文中采用的用语及术语是为了描述的目的，而不应被视为限制性的。