[发明专利]减少装置覆盖误差

权利要求书

1.一种利用至少在光刻制备中的晶片的先前层及当前层处具有周期结构的计量目标的过程控制方法，所述过程控制方法包括：

直接在所述先前层处的所述周期结构的生产之后及在所述当前层处的所述周期结构的生产之前从所述先前层处的所述周期结构导出计量测量，及

使用所述导出的测量来至少调整作为所述当前层的生产的一部分的光刻阶段。

2.根据权利要求1所述的过程控制方法，其中所述导出的计量测量至少包括关于所述先前层中的两个不同周期结构的覆盖测量。

3.根据权利要求1所述的过程控制方法，其进一步包括在对所述先前层处的所述周期结构施加蚀刻阶段之后及在所述当前层处的所述周期结构的所述生产之前从所述先前层处的所述周期结构导出计量测量。

4.根据权利要求3所述的过程控制方法，其中所述导出的计量测量至少包括在所述蚀刻阶段之前及之后的关于所述先前层中的所述周期结构的覆盖测量。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的过程控制方法，其中所述计量目标是成像目标。

6.根据权利要求5所述的过程控制方法，其中所述成像目标包括所述晶片的至少三个层，且在所述三个层中的第一层的生产及所述三个层中的第二层的生产之后执行所述过程控制方法。

7.根据权利要求1到4中权利要求任一权利要求所述的过程控制方法，其中所述计量目标是散射测量目标。

8.根据权利要求7所述的过程控制方法，其中所述散射测量目标包括至少两个光栅覆光栅目标，所述光栅覆光栅目标具有其在所述晶片上并排生产的先前层以用于所述计量测量导出。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的过程控制方法，其中所述计量目标包括至少两对所述周期结构，至少一对在所述先前层处且至少另一对在所述当前层中，且其中在每一对中，一个周期结构以类似装置的分段进行分段，而另一周期结构未分段。

10.一种计量目标，其包括：

至少两对周期结构，至少一对在先前层处且至少另一对在当前层中，且

其中在每一对中，一个周期结构以类似装置的分段进行分段，而另一周期结构未分段。

11.根据权利要求10所述的计量目标，其经配置为在两个测量方向中的每个方向上具有两对或三对周期结构的成像目标。

12.根据权利要求10所述的计量目标，其经配置为散射测量目标，所述散射测量目标沿着至少一个测量方向具有两个并排光栅覆光栅周期结构。

13.一种根据权利要求10到12中任一权利要求所述的计量目标的目标设计文件。

14.一种根据权利要求10到12中任一权利要求所述的计量目标的计量测量。

15.一种生产系统，其包括：

至少一个光刻工具，其经配置以通过生产晶片的层来制备所述晶片，

计量工具，其经配置以直接在先前层周期结构的生产之后及在计量目标的当前层处的周期结构的生产之前从所述计量目标的先前层处的周期结构导出计量测量，及

控制单元，其经配置以使用所述导出的测量来至少关于作为所述计量目标的所述当前层的生产的一部分的光刻阶段来调整所述至少一个光刻工具。

16.根据权利要求15所述的生产系统，其中所述控制单元是独立的、作为所述至少一个光刻工具的一部分及/或作为所述计量工具的一部分。

17.根据权利要求15所述的生产系统，其中所述计量目标包括至少两对所述周期结构，至少一对在所述先前层处且至少另一对在所述当前层中，且其中在每一对中，一个周期结构以类似装置的分段进行分段，而另一周期结构未分段。