[发明专利]显示设备在审

专利信息
申请号: 201880095011.9 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN112335053A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 李仙花;田武经;权度县;全河释 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/50
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 赵嫦;康泉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示 设备
【说明书】:

提供了根据各种实施方式的显示设备。根据实施方式的显示设备包括:基板;在基板上的薄膜晶体管;在薄膜晶体管上的有机绝缘层;布置在有机绝缘层上的像素电极,其中,在像素电极上限定中心区域、围绕中心区域的外围区域和与外围区域邻近的连接区域,并且像素电极包括:布置在外围区域中并且朝向基板突出的突出物,和布置在连接区域中并且电连接至薄膜晶体管的通孔塞;以及暴露像素电极的中心区域的像素限定层。

技术领域

本公开的各种实施方式涉及显示设备,并且更特别地,涉及其中可以减少由于反射光导致的在显示设备外部的色带的出现的显示设备。

背景技术

显示设备可以可视地显示图像数据。显示设备可以包括薄膜晶体管和发光装置。发光装置的像素电极可以通过穿透通过其下方的绝缘层的通孔塞连接至薄膜晶体管,并且通孔塞的上表面根据其制造工艺可以具有凹形的形状。由于凹形的上表面,可能反射在特定方向上的更多入射光,并且色带可能出现在显示设备的外部。

发明内容

技术问题

本公开的实施方式将提供通过减少色带的出现来提供高质量图像的显示设备。然而,这些问题仅是示例,并且本公开的范围不限于此。

问题的解决方案

根据一个方面,显示设备包括:基板;在基板上的薄膜晶体管;在薄膜晶体管上的有机绝缘层;布置在有机绝缘层上的像素电极,其中,在像素电极上限定中心区域、围绕中心区域的外围区域和与外围区域邻近的连接区域,并且像素电极包括:布置在外围区域中并且朝向基板突出的突出物,和布置在连接区域中并且电连接至薄膜晶体管的通孔塞;以及暴露像素电极的中心区域的像素限定层。

根据另一方面,显示设备包括:基板;在基板上的薄膜晶体管;覆盖薄膜晶体管的有机绝缘层,其中,在有机绝缘层上限定中心区域、围绕中心区域的外围区域和与外围区域邻近的连接区域,并且有机绝缘层包括:布置在外围区域中的凹部,和布置在连接区域中并且暴露电连接至薄膜晶体管的电极的一部分的通孔;布置在有机绝缘层的中心区域、外围区域和连接区域上的像素电极;以及暴露像素电极的与中心区域相对应的中心部分的像素限定层。

本公开的有利效果

根据本公开的各种实施方式,由于凹形的上表面形成为与布置在像素电极的外围区域中的突出物或布置在有机绝缘层的外围区域中的凹部相对应,因此通过减小从与通孔塞相对应形成的凹形的上表面反射的反射光在整个反射光中的比率,可以减少色带的出现。可以实现由于减少的色带而提供高质量图像的显示设备。然而,本公开的范围不受这些效果的限制。

附图说明

图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。

图2a和图2b分别图示根据实施方式的显示设备的像素的等效电路图的示例。

图3是根据实施方式的显示设备的显示区的一部分的放大示意性平面图。

图4是根据实施方式的显示设备的截面图,例如,沿着图3的线IV-IV'截取的显示设备的截面图。

图5是根据另一实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。

图6a至图6c是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。

图7是根据另一实施方式的显示设备的多个像素电极的一部分的放大示意性平面图。

图8至图10是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。

图11是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。

图12是根据另一实施方式的显示设备的多个像素电极的一部分的放大示意性平面图。

具体实施方式

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