[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201880095011.9 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN112335053A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 李仙花;田武经;权度县;全河释 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 赵嫦;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
基板;
在所述基板上的薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上的有机绝缘层;
布置在所述有机绝缘层上的,其中限定中心区域、围绕所述中心区域的外围区域和与所述外围区域邻近的连接区域的像素电极,所述像素电极包括:布置在所述外围区域中并且朝向所述基板突出的突出物,和布置在所述连接区域中并且电连接至所述薄膜晶体管的通孔塞;以及
暴露所述像素电极的所述中心区域的像素限定层。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述突出物的突出高度等于或小于所述通孔塞的突出高度。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述像素电极的与所述突出物相对应的上表面是凹形的。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述有机绝缘层包括被所述通孔塞穿透的通孔和填充有所述突出物的沟槽。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述突出物具有围绕所述中心区域的环形形状。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述突出物包括:具有围绕所述中心区域的环形形状的第一突出物,和具有围绕所述第一突出物的环形形状的第二突出物。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述突出物进一步包括具有围绕所述第二突出物的环形形状的第三突出物,并且
所述第二突出物的宽度在所述第一突出物的宽度与所述第三突出物的宽度之间。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述突出物包括布置在所述外围区域中彼此间隔开的多个突出物。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述突出物具有部分地围绕所述中心区域的弧形形状,并且
具有所述弧形形状的所述突出物不布置在所述通孔塞与所述中心区域的中心之间。
10.根据权利要求1所述的显示设备,包括:
薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括所述薄膜晶体管并被所述有机绝缘层覆盖;
第一像素电极,在所述第一像素电极中限定中心区域、围绕所述中心区域的外围区域和与所述外围区域邻近的连接区域,并且所述第一像素电极包括布置在所述外围区域中并且朝向所述基板突出的第一突出物,和布置在所述连接区域中并且延伸至所述薄膜晶体管层的第一通孔塞;以及
第二像素电极,在所述第二像素电极中限定中心区域、围绕所述中心区域的外围区域和与所述外围区域邻近的连接区域,并且所述第二像素电极包括布置在所述外围区域中并且朝向所述基板突出的第二突出物,和布置在所述连接区域中并且延伸至所述薄膜晶体管层的第二通孔塞,
其中,所述第一突出物相对于所述第一像素电极的所述中心区域的中心的定位方向与所述第二通孔塞相对于所述第二像素电极的所述中心区域的中心的定位方向基本上相同,并且
所述第二突出物相对于所述第二像素电极的所述中心区域的中心的定位方向与所述第一通孔塞相对于所述第一像素电极的所述中心区域的中心的定位方向基本上相同。
11.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
在所述像素电极的所述中心区域上的有机发射层;和
在所述有机发射层和所述像素限定层上的相对电极。
12.根据权利要求11所述的显示设备,进一步包括:
在所述相对电极上的薄膜封装层;
在所述薄膜封装层上至少部分地与所述通孔塞重叠的黑矩阵;以及
在所述薄膜封装层上与所述中心区域重叠的滤色器层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的