[发明专利]摆动设备、处理基板的方法、用于从传递腔室接收基板的摆动模块和真空处理系统在审
申请号: | 201880094749.3 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN112313784A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金庆泰;洛克莎·雷迪;佐木马·山木甘;细川昭弘 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摆动 设备 处理 方法 用于 传递 接收 模块 真空 系统 | ||
描述了一种用于使基板相对于具有纵轴的一或多个沉积源移动的摆动设备。所述摆动设备包括:支撑主体,所述支撑主体用于保持所述基板;旋转机构,所述旋转机构耦接至所述支撑主体以使基板围绕旋转轴移动一角度,以将基板取向从传递或水平取向改变为处理区域处的处理或竖直取向;以及线性运动机构,所述线性运动机构耦接至所述支撑主体,以在所述基板处于处理取向时使所述基板相对于所述沉积源的纵轴平移。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及用于相对于一或多个沉积源移动基板的摆动设备和模块。此外,本公开内容的实施方式涉及用于处理基板的方法和真空处理系统。
背景技术
已知有数种用于在基板上沉积材料的方法。例如,可以通过使用蒸镀工艺、物理气相沉积(physical vapor deposition;PVD)工艺(诸如溅射工艺、喷涂工艺等)或化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)工艺来涂覆基板。所述工艺可以在沉积设备的处理腔室中进行,待涂覆的基板位于所述处理腔室中。在所述处理腔室中提供沉积材料。可以使用溅射沉积工艺在基板上沉积材料层,例如绝缘材料层。这涉及将材料从靶喷射到基板上。用等离子体区域中产生的离子轰击待沉积在基板上的靶材料,以从靶的表面逐出靶材料的原子。被逐出的原子可以在基板上形成材料层。在反应性溅射沉积工艺中,被逐出的原子可以与等离子体区域中的气体(例如氮或氧)反应,以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。此外,可以在处理腔室中进行其他工艺,如蚀刻、结构化、退火或类似工艺。
例如,在例如显示器制造技术中,可以考虑涂覆工艺来用于大面积基板。经涂覆的基板可以在若干应用和若干技术领域中使用。例如,这些应用可以包括绝缘面板、微电子器件(诸如半导体器件)、具有薄膜晶体管(TFT)的基板、滤色器或类似应用。
朝向具有更复杂和更薄涂层的更大基板的趋势导致了更大的处理模块。串联连接的竖直处理模块可能由于占地面积、冗余和成本而具有一些缺点。对于大面积基板的涂覆,可以将玻璃与掩模对准,以避免在玻璃边缘上和/或背面上进行涂覆,并将处理室密封以与玻璃运送区域隔开。夹具在处理期间在基板的边缘处固持所述基板。这可能由于玻璃掩模对准(阴影效应)和夹具上的侧面沉积而导致颗粒和均匀性的问题。此外,处理腔室中产生的颗粒在目标基板外部的处理模块的部件上(例如在移动中的机械元件上)的沉积,可负面地影响所述元件的性能并因此影响所述元件的可靠性。
鉴于上述,需要能够提供改善的沉积层均匀性以及处理腔室中或附近减少的颗粒产生的设备、模块、方法和系统。
发明内容
提供了一种摆动设备、一种用于处理基板的方法、用于从传递腔室接收基板的摆动模块、以及真空处理系统。进一步的特征、细节、方面和修改可以从从属权利要求、说明书和附图中得出。
根据一个实施方式,提供了一种用于使基板相对于具有纵轴的一或多个沉积源移动的摆动设备。摆动设备包括:支撑主体,所述支撑主体用于保持所述基板;旋转机构,所述旋转机构耦接至所述支撑主体以使基板围绕旋转轴移动一角度,以将基板取向从传递或水平取向改变为处理区域处的处理或竖直取向;以及线性运动机构,所述线性运动机构耦接至所述支撑主体,以在所述基板处于所述处理取向时使所述基板相对于所述沉积源的纵轴平移。
根据另一个实施方式,提供了一种用于处理基板的方法。所述方法包括:将基板保持在支撑主体上;相对于具有纵轴的用于处理基板的沉积源移动基板,所述基板的移动是通过耦接到支撑主体的旋转机构而围绕旋转轴经过一角度进行的,以将基板取向从传递或水平取向改变为处理或竖直取向;用沉积源处理基板的表面;以及当基板处于处理取向时,通过耦接到支撑主体的线性运动机构相对于沉积源的纵轴平移基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造