[发明专利]摆动设备、处理基板的方法、用于从传递腔室接收基板的摆动模块和真空处理系统在审
申请号: | 201880094749.3 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN112313784A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金庆泰;洛克莎·雷迪;佐木马·山木甘;细川昭弘 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摆动 设备 处理 方法 用于 传递 接收 模块 真空 系统 | ||
1.一种摆动设备(10),所述摆动设备用于相对于具有纵轴(31)的一或多个沉积源(30)移动基板(20),所述摆动设备(10)包括:
支撑主体(40),所述支撑主体用于保持所述基板(20);
旋转机构(42),所述旋转机构耦接到所述支撑主体(40)以使所述基板(20)围绕旋转轴(44)移动一角度(12),以将所述基板的取向从传递取向或水平取向(I)改变为在处理区域(72)处的处理取向或竖直取向(II);和
线性运动机构(46),所述线性运动机构耦接到所述支撑主体(40),以当所述基板(20)处于所述处理取向(II)时相对于所述沉积源(30)的所述纵轴(31)平移所述基板(20)。
2.根据权利要求1所述的摆动设备(10),其中所述支撑主体(40)被构造为在从所述传递取向(I)到所述处理取向(II)的移动期间在垂直于所述沉积源(30)的所述纵轴(31)的水平线性方向上移动所述基板(20),反之亦然;并且在邻近所述处理区域(72)的所述基板(20)的边缘与所述沉积源(30)的所述纵轴(31)之间提供线性偏移(48)。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的摆动设备(10),其中所述旋转机构(42)由所述线性运动机构(46)支撑。
4.根据前述权利要求中任一项所述的摆动设备(10),所述摆动设备还包括:
保护单元(50),所述保护单元用于沉积源,以减少所述处理区域中的颗粒。
5.根据权利要求4所述的摆动设备(10),其中所述保护单元(50)包括至少一第一波纹管元件(52),并且所述旋转机构(42)包括位于所述第一波纹管元件(52)内的至少一旋转轴(47)。
6.根据权利要求5所述的摆动设备,其中所述线性运动机构设置在所述第一波纹管元件内。
7.根据权利要求4或5所述的摆动设备(10),其中所述保护单元(50)包括至少一第二波纹管元件,并且所述线性运动机构(46)包括位于所述第二波纹管元件内的线性导向件(49)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的摆动设备(10),其中所述支撑主体(40)包括用于加热所述基板(20)的基座。
9.根据前述权利要求中任一项所述的摆动设备(10),其中所述旋转机构(42)包括至少两个花键轴连接元件(421)和至少两个旋转电机(422)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的摆动设备(10),其中所述基板(20)通过夹具保持到所述支撑主体(40)。
11.一种用于处理基板(20)的方法(100),所述方法包括:
将所述基板(20)保持(102)在支撑主体(40)上|;
相对于具有纵轴(31)的用于处理所述基板(20)的沉积源(30)移动(104)所述基板(20),所述基板(20)的所述移动是通过耦接到所述支撑主体(40)的旋转机构(42)而围绕旋转轴(44)经过一角度(12)进行的,以将所述基板的取向从传递取向或水平取向(I)改变为处理取向或竖直取向(II);
用所述沉积源(30)处理(106)所述基板(20)的表面;和
当所述基板(20)处于所述处理取向(II)时,通过耦接到所述支撑主体(40)的线性运动机构(46)相对于所述沉积源(30)的所述纵轴(31)平移(108)所述基板(20)。
12.根据权利要求11所述的方法(100),所述方法还包括:
在从所述传递取向(I)到所述处理取向(II)的所述移动期间,在垂直于所述沉积源(30)的所述纵轴(31)的水平线性方向上移动所述基板(20),反之亦然。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造