[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，具备：

衬底；

结构体，包含积层在衬底上的多个导电层；以及

柱，设置在所述结构体内，且包含朝相对于所述衬底的表面垂直的方向延伸的半导体层；且

所述半导体层包含所述结构体上部侧的第1部分、以及所述第1部分与所述衬底之间的第2部分；

所述第1部分的膜厚比所述第2部分的膜厚厚。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中

所述半导体层包含所述第2部分与所述衬底之间的第3部分；且

所述第3部分的膜厚比所述第2部分的膜厚薄。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中

所述第1部分的杂质浓度比所述第2部分的杂质浓度高。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中

所述第1部分是非晶层或微晶层，所述第2部分是多晶层。

5.根据权利要求2所述的存储装置，其中

所述第1部分包含选自硼(B)、碳(C)、锗(Ge)、氩(Ar)、氙(Xe)、氟(F)、以及BF₂中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的存储装置，其中

所述第1部分的粒径比所述第2部分的粒径小。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中

所述第1部分及所述第2部分均是多晶层。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其中

所述第1部分包含选自硼(B)、磷(P)、氩(Ar)、以及BF₂中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的存储装置，其中

所述第1部分的粒径比所述第2部分的粒径大。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其中

所述柱包含芯层、以及气隙；且

所述气隙设置在所述芯层内；

相对于所述衬底的表面垂直的方向上的所述气隙的上端位于比所述第1部分更靠所述衬底侧。

11.一种存储装置，具备：

衬底；

结构体，包含积层在衬底上的多个导电层；以及

柱，设置在所述结构体内；且

所述柱包含：

芯层；

半导体层，朝相对于所述衬底的表面垂直的方向延伸，且包含：所述结构体上部侧的第1部分、以及在所述第1部分与所述衬底之间与所述芯层的外侧面相接的第2部分；以及

改性化层，具有与所述半导体层的所述第1部分相接的下端。

12.根据权利要求11所述的存储装置，其中

所述改性化层包含选自硅的氮化物、氧化物、以及碳化物中的至少一种。

13.根据权利要求11所述的存储装置，其中

所述半导体层的所述第1部分包含：比所述改性化层更下方的第3部分、以及比所述第3部分更上方的第4部分；且

所述改性化层具有与所述半导体层的所述第4部分相接的内侧面。

14.根据权利要求11所述的存储装置，其中

所述改性化层具有与所述半导体层的所述第1部分相接的外侧面。

15.根据权利要求11所述的存储装置，其中

所述柱还包含朝相对于所述衬底的表面垂直的方向延伸的存储层；且

所述改性化层具有与所述存储层相接的外侧面。

16.根据权利要求11所述的存储装置，其中

所述改性化层具有筒状或环状的形状。