[发明专利]功率半导体模块以及电力变换装置

权利要求书

1.一种功率半导体模块，具备：

绝缘基板，包括第1主面；

第1导电电路图案，设置于所述第1主面上；以及

第2导电电路图案，设置于所述第1主面上，

所述第2导电电路图案从所述第1导电电路图案空开第1间隙而配置，所述功率半导体模块还具备：

第1半导体元件，与所述第1导电电路图案接合；

第2半导体元件，与所述第2导电电路图案接合；

密封部件，密封所述第1半导体元件、所述第2半导体元件、所述第1导电电路图案及所述第2导电电路图案；以及

第1势垒层，相对所述第1半导体元件及所述第2半导体元件配置于与所述绝缘基板相反的一侧，

所述第1势垒层设置于所述密封部件上或者所述密封部件中，

所述第1势垒层以及所述密封部件中的至少1个包括第1应力缓和部。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，

所述第1势垒层包括所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件侧的第1表面和与所述第1表面相反的一侧的第2表面，

所述第1应力缓和部是形成于所述第1表面以及所述第2表面中的至少1个的第1凹部。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，

所述第1势垒层设置于所述密封部件上，

所述第1凹部形成于所述第1表面，

所述第1凹部的至少一部分是未被所述密封部件填充的空洞。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，

所述第1势垒层包括所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件侧的第1表面和与所述第1表面相反的一侧的第2表面，

所述第1应力缓和部是连接所述第1表面和所述第2表面的第1贯通部。

5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，

所述密封部件包括外表面，

所述第1应力缓和部是形成于所述外表面的第2凹部。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，

在俯视所述第1主面时，所述第1应力缓和部被配置成与所述第1间隙重叠。

7.根据权利要求2至4中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，

所述第1应力缓和部与所述第1导电电路图案、所述第2导电电路图案以及所述第1间隙对应地设置于所述第1势垒层，

所述第1势垒层构成为至少在所述第1应力缓和部随着接近所述第1势垒层的第1部分而厚度逐渐减少，所述第1部分在俯视所述第1主面时与所述第1间隙重叠，

所述第1势垒层在所述第1应力缓和部中的所述第1部分具有最小厚度。

8.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其中，

所述第1应力缓和部与所述第1导电电路图案、所述第2导电电路图案以及所述第1间隙对应地设置于所述密封部件，

所述外表面被形成为至少在所述第1应力缓和部随着接近所述外表面的第2部分而逐渐变深地凹陷，所述第2部分在俯视所述第1主面时与所述第1间隙重叠，

所述外表面在所述第1应力缓和部中的所述第2部分最深地凹陷。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，

所述绝缘基板包括第1绝缘基板部分和第2绝缘基板部分，所述第1导电电路图案设置于所述第1绝缘基板部分上，所述第2导电电路图案设置于所述第2绝缘基板部分上，所述第2绝缘基板部分从所述第1绝缘基板部分空开第2间隙而配置，

在俯视所述第1主面时，所述第1应力缓和部被配置成与所述第2间隙重叠。

10.根据权利要求9所述的功率半导体模块，其中，

还具备基体板，该基体板相对所述绝缘基板配置于与所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件相反的一侧，

所述第1绝缘基板部分和所述第2绝缘基板部分与所述基体板接合。