[发明专利]蒸发源、用于操作蒸发源的方法和沉积系统

权利要求书

1.一种用于在真空腔室中蒸发沉积材料的蒸发源，包括：

坩埚组件，所述坩埚组件具有坩埚；

加热单元，所述加热单元配置为加热所述坩埚；

屏蔽布置，所述屏蔽布置用于减少所述坩埚的热辐射至所述真空腔室中；和

第一冷却布置，所述第一冷却布置位于所述坩埚与所述屏蔽布置之间。

2.根据权利要求1所述的蒸发源，其中所述蒸发源进一步包括第二冷却布置，所述第二冷却布置至少部分地环绕所述屏蔽布置，以减少所述坩埚的热辐射至所述真空腔室中。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的蒸发源，其中所述第一冷却布置至少部分地环绕所述加热单元。

4.根据权利要求2至3中任一项所述的蒸发源，其中所述第一冷却布置和/或所述第二冷却布置包括一个或多个冷却沟道。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的蒸发源，其中所述第一冷却布置与所述加热单元或加热屏蔽件接触。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的蒸发源，其中所述第一冷却布置和/或所述第二冷却布置藉由流体被冷却。

7.根据权利要求6所述的蒸发源，其中所述流体是包括水、压缩空气、氦、氢、氮、或任何其他适合的冷却组分或其组合的组中的一种。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的蒸发源，其中所述屏蔽布置包括两个或更多个被动辐射屏蔽件。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的蒸发源，其中所述加热单元被布置于所述坩埚的内部容积内。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的蒸发源，其中提供至少0.1℃/s的冷却速率。

11.一种用于蒸发沉积材料的系统，包括：

真空腔室；

根据权利要求1至10中任一项所述的蒸发源；和

分配组件，所述分配组件用于对蒸发沉积材料进行沉积。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述分配组件包括另一加热单元。

13.一种操作蒸发源的方法，包括：

加热坩埚以蒸发材料；

关闭所述蒸发源，包括：

关闭加热；

主动冷却所述坩埚。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述蒸发源包括分配组件。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述方法进一步包括：

调节所述坩埚的温度，使所述分配组件的温度高于所述坩埚的温度。