[发明专利]液体组合物、光电转换元件的制造方法以及光电转换元件在审

专利信息
申请号: 201880091359.0 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN111868952A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 中田加奈子;两轮达也;福永浩史;和泉真;仲西洋平;内海久幸;兼弘昌行 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 液体 组合 光电 转换 元件 制造 方法 以及
【说明书】:

QD粒子分散液(100)包含保护分散在溶剂(101)中的QD荧光体粒子(130)的表面的表面修饰化合物(131)。表面修饰化合物(131)包含具有杂原子的官能团(131a)和链饱和烃基(131b)。在QD粒子分散液(100)中,在发光元件(1)中成为形成QD层(13)的基底的基底层的表面自由能与QD层(13)的表面自由能之差的绝对值为5mN/m以下。

技术领域

本发明一形态关于一种包含量子点粒子的液体组合物等。

背景技术

近年来,正在进行例如包含量子点(Quantum Dot,QD)荧光体粒子的发光元件等利用QD特性的元件的开发。

专利文献1记载了一种在将QD荧光体粒子用于发光元件的发光层中时,一边维持QD荧光体粒子的量子产量,一边抑制劣化的技术。具体地,QD荧光体的表面配体(配位子)的至少一部分为含有硅的表面修饰配体。在发光二极管等发光元件中,可以使用透氧性低的硅酮聚合物作为封装材料。通过提高上述QD荧光体与硅酮聚合物的亲和性,QD荧光体在封装材料中彼此难以凝聚。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本国公开专利公报“特表2017-514299号公报(2017年6月1日公表)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

但是,上述技术在能够适用的元件的结构上受到限制。在制造各种元件时,期望尽可能简便地形成(成膜)含有QD粒子的薄且均匀的膜(QD层)。

本发明的一形态是通过提高QD层的成膜性来提高QD层的性能。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述问题,本发明的一形态中的液体组合物,其是通过涂布在基底层来形成含有量子点粒子的量子点层的液体组合物,所述液体组合物包括溶剂、分散在所述溶剂中的量子点粒子以及用于保护所述量子点粒子的表面的表面保护材料,所述基底层用于向所述量子点层供给电子或空穴,所述表面保护材料中作为主要成分包括表面修饰化合物,所述表面修饰化合物由具有杂原子的官能团和分子式由CnH2n+1表示的链饱和烃基构成,其中n为自然数,所述量子点层的表面自由能与所述基底层的表面自由能彼此的差的绝对值为5mN/m以下。

为了解决上述问题,本发明的一形态中的光电转换元件,其是在第一电极和第二电极之间设置有量子点层的光电转换元件,所述第二电极配置在所述第一电极的上方,所述光电转换元件包括:基底层;所述量子点层,其形成在所述基底层上,所述基底层向所述量子点层供给电子或空穴,所述量子点层包括量子点粒子、保护所述量子点粒子的表面的表面保护材料,所述表面保护材料中作为主要成分包括表面修饰化合物,所述表面修饰化合物由具有杂原子的官能团和分子式由CnH2n+1表示的链饱和烃基构成,其中,n为自然数,所述量子点层的表面自由能与所述基底层的表面自由能彼此的差的绝对值为5mN/m以下。

有益效果

根据本发明一形态中的液体组合物,可以提高QD层的成膜性。由此,抑制了QD层中缺陷的形成,并且可以提高QD层的性能。此外,根据本发明的一形态的光电转换元件也具有相同的效果。

附图说明

【图1】图1的(a)是表示本发明第一实施方式中的发光元件的概略构成的截面图,图1的(b)是扩大上述发光元件具有的QD层的一部分的图。

【图2】图2是表示本发明第一实施方式中的发光元件的制造方法的示例的流程图。

【图3】图3的(a)是表示本发明第一实施方式中的QD粒子分散液的概略构成的示意图,图3的(b)是表示上述QD粒子分散液所含有的表面修饰化合物的图。

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