[发明专利]液体组合物、光电转换元件的制造方法以及光电转换元件在审

专利信息
申请号: 201880091359.0 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN111868952A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 中田加奈子;两轮达也;福永浩史;和泉真;仲西洋平;内海久幸;兼弘昌行 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 液体 组合 光电 转换 元件 制造 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种液体组合物,其是通过涂布在基底层来形成含有量子点粒子的量子点层的液体组合物,其特征在于,

所述液体组合物包括溶剂、分散在所述溶剂中的量子点粒子以及用于保护所述量子点粒子的表面的表面保护材料,

所述基底层用于向所述量子点层供给电子或空穴,

所述表面保护材料中作为主要成分包括表面修饰化合物,所述表面修饰化合物由具有杂原子的官能团和分子式由CnH2n+1表示的链饱和烃基构成,其中n为自然数,

所述量子点层的表面自由能与所述基底层的表面自由能彼此的差的绝对值为5mN/m以下。

2.根据权利要求1所述的液体组合物,其特征在于,

所述表面修饰化合物中,n为8以上且20以下。

3.根据权利要求1或2所述的液体组合物,其特征在于,

所述表面修饰化合物是胺或硫醇。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的液体组合物,其特征在于,

当形成所述量子点层时,不包括成为支承所述量子点粒子的基材的粘合剂。

5.一种光电转换元件的制造方法,所述光电转换元件中在第一电极和第二电极之间设置有所述量子点层,所述第二电极配置在所述第一电极的上方,其特征在于,所述制造方法包括:

液体制备工序,在所述液体制备工序中制备权利要求1~4中任意一项所述的液体组合物;以及

成膜工序,其使用在所述液体制备工序中制备的液体组合物,在所述基底层上形成所述量子点层。

6.根据权利要求5所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于,

所述基底层是包括聚乙烯咔唑的空穴传输层,

所述第一电极和所述第二电极中的至少一个是具有透光性的电极。

7.一种光电转换元件,其是在第一电极和第二电极之间设置有量子点层的光电转换元件,所述第二电极配置在所述第一电极的上方,其特征在于,

所述光电转换元件包括:

基底层;

所述量子点层,其形成在所述基底层上,

所述基底层向所述量子点层供给电子或空穴,

所述量子点层包括量子点粒子、保护所述量子点粒子的表面的表面保护材料,

所述表面保护材料中作为主要成分包括表面修饰化合物,所述表面修饰化合物由具有杂原子的官能团和分子式由CnH2n+1表示的链饱和烃基构成,其中,n为自然数,

所述量子点层的表面自由能与所述基底层的表面自由能彼此的差的绝对值为5mN/m以下。

8.根据权利要求7所述的光电转换元件,其特征在于,

所述表面修饰化合物中,n为8以上且20以下。

9.根据权利要求7所述的光电转换元件,其特征在于,

所述基底层是包括聚乙烯咔唑的空穴传输层,

所述表面修饰化合物为n为8以上且16以下的胺或硫醇。

10.根据权利要求7所述的光电转换元件,其特征在于,

所述基底层是包含ZnO纳米粒子的电子传输层,

所述表面修饰化合物是n为8以上且16以下的胺或硫醇。

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