[发明专利]阀装置

说明书

本发明提供能够确保流体的流量并且能够精密地调整流量的阀装置。该阀装置具有：主致动器(60)，其承受所供给的驱动流体的压力，并且使操作构件(40)向开位置或闭位置移动；调整用致动器(100)，其配置为主致动器(60)产生的力的至少一部分作用于该调整用致动器(100)，用于对定位于开位置的操作构件的位置进行调整；以及压力调节器(200)，其设于驱动流体向主致动器(60)的供给路径，对所供给的所述驱动流体的压力进行调压，以便抑制向主致动器(60)供给的驱动流体的压力的变动。

技术领域

本发明涉及一种阀装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了将准确计量后的处理气体向处理腔室供给，使用了将开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体控制设备集成化而成的被称作集成化气体系统的流体控制装置。

通常，将自上述流体控制装置输出的处理气体直接向处理腔室供给，但在基于原子层沉积法(ALD：Atomic Layer Deposition法)使膜沉积于基板的处理工艺中，为了稳定地供给处理气体而将自流体控制装置供给的处理气体暂时贮存于作为缓冲器的罐，使设于紧靠处理腔室的附近的阀以高频率进行开闭，将来自罐的处理气体向真空气氛的处理腔室供给。此外，作为设于紧靠处理腔室的附近的阀，例如参照专利文献1、2。

ALD法为化学气相沉积法之一，是在温度、时间等成膜条件下，使两种以上的处理气体一种一种地向基板表面上交替流动，并且使其与基板表面上的原子反应而单层单层地沉积膜的方法，由于能够单原子层单原子层地进行控制，因此能够形成均匀的膜厚，也能够沉积作为膜质非常致密的膜。

在基于ALD法的半导体制造工艺中，需要精密地调整处理气体的流量，并且由于基板的大口径化等，也需要在某种程度上确保处理气体的流量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-64333号公报

专利文献2：日本特开2016-121776号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在空气驱动式的阀中，通过空压调整、机械调整来精密地调整流量并不容易。另外，在基于ALD法的半导体制造工艺中，由于处理腔室周围成为高温，因此阀易于受到温度的影响。再者，由于以高频率对阀进行开闭，因此容易产生阀的经时、经年的变化，并且流量调整作业需要庞大的工时。

本发明的一个目的在于提供够确保流体的流量并且能够精密地调整流量的阀装置。

本发明的另一目的在于提供能够大幅削减流量调整工时的阀装置。

本发明的又一目的在于提供能够立即执行流量调整的阀装置。

用于解决问题的方案

本发明的阀装置具有：阀体，其划定流路；阀芯，其设为能够对所述阀体的流路进行开闭；操作构件，其操作所述阀芯，设为能够在预先设定的使所述阀芯关闭流路的闭位置与预先设定的使所述阀芯打开流路的开位置之间移动；主致动器，其承受所供给的驱动流体的压力，使所述操作构件向所述开位置或闭位置移动；调整用致动器，其配置为所述主致动器产生的力的至少一部分作用于该调整用致动器，用于对定位于所述开位置的所述操作构件的位置进行调整；以及压力稳定化机构，其设于所述驱动流体向所述主致动器的供给路径，用于抑制向所述主致动器供给的所述驱动流体的压力的变动。

优选的是，所述压力稳定化机构包括对所供给的所述驱动流体的压力进行调压的压力调节器。