[发明专利]阀装置

说明书

本发明提供能够更加简单地对打开阀时的流量进行调整的阀装置。阀装置(1)具有：阀体(10)，在其内部形成有第1流路(12)以及第2流路(13)；阀芯(20)，其通过关闭第1流路的开口而将第1流路和第2流路切断，并且通过打开第1流路的开口而使第1流路和第2流路连通；操作构件(40)，其使阀芯在关闭开口的闭位置与打开开口的开位置之间移动；以及调整致动器(100)，其限定操作构件的开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过电驱动材料的变形而使所限定的开位置发生变化。

技术领域

本发明涉及阀装置、流量控制方法、流体控制装置、半导体制造方法以及半导体制造装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了将准确计量后的处理气体向处理腔室供给，使用了将开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体控制设备集成化而成的被称作集成化气体系统的流体控制装置。将该集成化气体系统收纳于箱内而成的构件被称作气体箱。

通常，将自上述气体箱输出的处理气体直接向处理腔室供给，但在基于原子层沉积法(ALD：Atomic Layer Deposition法)使膜沉积于基板的处理工艺中，为了稳定地供给处理气体而将自气体箱供给的处理气体暂时贮存于作为缓冲器的罐，使设于紧靠处理腔室的附近的阀以高频率进行开闭，将来自罐的处理气体向真空气氛的处理腔室供给。此外，对于作为设于紧靠处理腔室的附近的阀，例如，参照专利文献1、2。

ALD法为化学气相沉积法之一，是在温度、时间等成膜条件下，使两种以上的处理气体一种一种地向基板表面上交替流动，并且使其与基板表面上的原子反应而单层单层地沉积膜的方法，由于能够单原子层单原子层地进行控制，因此能够形成均匀的膜厚，也能够沉积作为膜质非常致密的膜。

在基于ALD法的半导体制造工艺中，需要精密地调整处理气体的流量，并且由于基板的大口径化等，也需要在某种程度上确保处理气体的流量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-64333号公报

专利文献2：日本特开2016-121776号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在空气驱动式的阀中，通过空压调整、机械调整来精密地调整流量并不容易。另外，在基于ALD法的半导体制造工艺中，由于处理腔室周围成为高温，因此阀易于受到温度的影响。再者，由于以高频率对阀进行开闭，因此容易产生阀的经时、经年的变化，用于维持精密的流量的流量调整作业需要庞大的工时。

本发明是鉴于上述情况而作成的，其目的在于提供能够更加简单地对打开阀时的打开量进行调整的阀装置、流量控制方法和流体控制装置，以及提供在利用处理气体的处理工序中能够更加简单地对打开阀时的打开量进行调整的半导体制造方法以及半导体制造装置。

用于解决问题的方案

本公开的阀装置是具有如下构件的阀装置：阀体，在其内部形成有第1流路以及第2流路；阀芯，其通过关闭所述第1流路的开口而将所述第1流路和所述第2流路切断，并且通过打开所述第1流路的开口而使所述第1流路和所述第2流路连通；操作构件，其使所述阀芯在关闭所述开口的闭位置与打开所述开口的开位置之间移动；以及调整致动器，其限定所述操作构件的所述开位置，并且具有由根据电场的变化而发生变形的化合物形成的电驱动材料，通过所述电驱动材料的变形而使所限定的所述开位置发生变化。

另外，在本公开的阀装置中，所述调整致动器能够是包含所述电驱动材料的多个元件在所述操作构件的移动方向上层叠的构造。