[发明专利]激光气体再生装置和电子器件的制造方法

说明书

激光气体再生装置对从至少一个ArF准分子激光装置排出的排出气体进行再生，并将再生气体供给到至少一个ArF准分子激光装置，该至少一个ArF准分子激光装置与第1激光气体供给源和第2激光气体供给源连接，第1激光气体供给源供给包含氩气、氖气和第1浓度的氙气在内的第1激光气体，第2激光气体供给源供给包含氩气、氖气和氟气的第2激光气体，其中，激光气体再生装置具有：数据取得部，其取得被供给到至少一个ArF准分子激光装置的第2激光气体的供给量的数据；氙添加部，其将包含氩气、氖气和比第1浓度高的第2浓度的氙气在内的第3激光气体添加到再生气体中；以及控制部，其根据供给量对基于氙添加部的第3激光气体的添加量进行控制。

技术领域

本公开涉及激光气体再生装置和电子器件的制造方法。

背景技术

近年来，在半导体曝光装置(以下称为“曝光装置”)中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。一般而言，在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的激光的ArF准分子激光装置。

作为下一代的曝光技术，曝光装置侧的曝光用透镜与晶片之间被液体充满的液浸曝光已经实用化。在该液浸曝光中，曝光用透镜与晶片之间的折射率变化，因此，曝光用光源的外观的波长变短。在将ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光(或ArF液浸光刻)。

KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡宽度较宽，大约为350～400pm。因此，当利用透射KrF和ArF激光这种紫外线的材料构成投影透镜时，有时产生色差。其结果，分辨率降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，有时在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrow Module：LNM)，以使谱线宽度窄带化。下面，将谱线宽度被窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2016/0248215号说明书

专利文献2：国际公开第2017/072863号

专利文献3：国际公开第2017/071866号

专利文献4：美国专利第6188710号说明书

专利文献5：美国专利第5450436号说明书

专利文献6：美国专利申请公开第2002/0122449号说明书

专利文献7：美国专利第6584131号说明书

专利文献8：国际公开第2017/081819号

专利文献9：日本特开平09-097951号公报

专利文献10：美国专利第9478934号说明书

专利文献11：美国专利申请公开第2006/0193997号说明书

发明内容