[发明专利]单片体的制造方法

说明书

一种能够简化单片体制造工序的单片体的制造方法，实施：片粘贴工序PC1，将添加有通过赋予规定的能量IR而膨胀的膨胀性微粒SG的粘接片AS粘贴于被粘物WF；改性部形成工序PC2，其在片粘贴工序PC1后，在被粘物WK形成改性部MT，并在被粘物WK形成被该改性部MT围绕的单片化预定区域WFP；粘接力减小工序PC3，减小粘接片AS对被粘物WF的粘接力，在粘接力减小工序PC3中，对粘接片AS局部地赋予能量IR，使被赋予能量IR的粘接片局部ASP中添加的膨胀性微粒SG膨胀，减小该粘接片局部ASP与被粘物WF的粘接面积，减小粘接片局部ASP对被粘物WF的粘接力，并使粘贴于该粘接片局部ASP的单片化预定区域WFP位移而形成单片体CP。

技术领域

本发明涉及一种单片体的制造方法。

背景技术

目前，已知一种单片体的制造方法，其以在被粘物上形成的改性部为起点，使该被粘物单片化而形成单片体(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-211080号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题

但是，在专利文献1记载的现有方法中，在采用与半导体晶圆4(被粘物)的粘接力较强的切割带1(粘接片)的情况下，存在需要如下两个工序的缺点，该两个工序是：扩张工序(单片化工序)，向该粘接片赋予张力而使被粘物单片化成为小片接合(日语：ダイボンド)用芯片(单片体)；以及粘接力减小工序，向粘接片照射紫外线(能量)。

本发明的目的在于提供一种能够使单片体的制造工序简化的单片体的制造方法。

(二)技术方案

本发明采用了权利要求书中记载的结构。

(三)有益效果

根据本发明，由于在粘接力减小工序中使被粘物单片化而形成单片体，因此能够利用一个工序完成以往需要进行单片化工序和粘接力减小工序这两个工序的作业，从而能够使单片体的制造工序简化。

附图说明

图1的(A)～(C)是本发明实施方式的单片体的制造方法的说明图。

图2的(A)～(C)是本发明变形例的说明图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。

此外，本实施方式的X轴、Y轴、Z轴分别具有正交的关系，X轴及Y轴设定为规定平面内的轴，Z轴设定为与所述规定平面正交的轴。而且，在本实施方式中，以从平行于Y轴的、图1的(A)中近前方向观察的情况为基准，在不指定图来表示方向的情况下，“上”是Z轴的箭头方向且“下”是其相反方向，“左”是X轴的箭头方向且“右”是其相反方向，“前”是平行于Y轴的、图1的(A)中近前方向且“后”是其相反方向。

本发明的单片体的制造方法使作为被粘物的半导体晶圆(以下也简称为“晶圆”)WF单片化而形成作为单片体的半导体芯片(以下也简称为“芯片”)CP，且实施：片粘贴工序PC1，向晶圆WF粘贴粘接片AS，该粘接片AS添加有膨胀性微粒SG，该膨胀性微粒SG通过赋予作为规定的能量的红外线IR而膨胀；改性部形成工序PC2，在片粘贴工序PC1之后，在晶圆WF上形成改性部MT，并在晶圆WF上形成被该改性部MT围绕的单片化预定区域WFP；以及粘接力减小工序PC3，减小粘接片AS对晶圆WF的粘接力。

此外，在本实施方式中，粘接片AS采用了具备基材BS和粘接剂层AL、并仅在该粘接剂层AL中添加有膨胀性微粒SG的结构。