[发明专利]用于获得关于以CVD法沉积的层的信息的方法和设备在审
申请号: | 201880088514.3 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN111684104A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | P.S.劳弗 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗欧洲公司 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/52;C30B25/16;G05B19/042;C23C16/448 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 任丽荣 |
地址: | 德国黑*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 获得 关于 cvd 沉积 信息 方法 设备 | ||
本发明涉及一种用于获得关于由多个依次进行的步骤构成的过程的信息的方法,该过程用于在反应器(14)的过程腔(15)中的衬底(18)上沉积至少一个层、尤其半导体层,其中,以时间序列将用于致动器(2、4、6、9、11、23)的调节数据(SD)、传感器(3、4、24、25)的测量值(MW)作为原始数据(RD)和其时间基准一起存储在日志文件(40)中。通过使用原始数据(RD)应该获得关于沉积的层的品质的认识。为此,借助计算装置通过原始数据(RD)的关系建立(41)从原始数据(RD)获得过程参数(PP),通过分析(42)过程参数(PP)的时间变化曲线识别过程步骤(P1至Pn)的开始和结束以及过程步骤的类型;针对过程步骤(P1至Pn)的至少一些,从测量值(MW)形成对应于过程步骤的相应类型的、特征性的过程步骤参量(PG);并且将因此获得的过程步骤参量(PG)与存储在过程数据存储器(44)中的、配属于至少类似的过程步骤的比较参量(VG)进行比较(45)。
技术领域
本发明涉及一种用于获得关于由多个依次进行的步骤构成的过程的信息的方法,该过程用于在反应器的过程腔中的衬底上沉积至少一个层、尤其半导体层,其中,使用至少包含用于致动器的调节数据的时间序列的原始数据。
本发明此外还涉及一种设备,其设定用于利用电子控制装置、尤其利用控制计算机实施根据本发明的方法。
背景技术
在机械制造中已知,在与过程相关的或与机器结构相关的部位上给机器装备传感器,利用传感器确定测量值、例如温度测量值或振动测量值。测量值被存储,并且由计算装置评估。在此,这些测量值在数学上建立关系。这通过将测量值添加到数学公式中来进行,数学公式以数字方式反映了机器的功能和设计结构。在文献中,对机器的功能原理的这种监视是指存储在计算设备中的“数字双胞胎(或者说数字孪生)”。
US 2015/0039117 A1公开了一种半导体制造装置,其中,利用多个传感器收集测量值。测量值在电子计算单元中被处理,其中,从多个测量值形成子群。
US 2008/0275586 A1描述了一种用于制造被涂层的晶片的方法,其中,数据被评估,从而可以对涂层过程的结果做出预测。
US 2009/0276077 A1描述了用于获得关于CVD过程的信息的方法,其中,借助数字模型来处理测量数据。
发明内容
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的