[发明专利]利用半导体发光元件的显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201880088416.X | 申请日: | 2018-02-01 |
公开(公告)号: | CN111684601A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 朴昶绪;沈奉柱 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 半导体 发光 元件 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种显示装置及其制造方法,尤其,涉及一种利用半导体发光元件的显示装置。根据本发明的显示装置,其特征在于,包括:基板;多个单元格,具备从所述基板上凸出的分隔壁,多个所述单元格沿着一个方向依次配置;半导体发光元件,容纳于多个所述单元格中的每一个;以及第一电极,具备配置于多个所述单元格中的每一个的底部的多个电极线,所述第一电极与所述半导体发光元件电连接,多个所述单元格中的每一个的底部具有:第一区域,被多个所述电极线覆盖;以及第二区域,形成在多个所述电极线之间。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法,尤其,涉及一种利用了半导体发光元件的显示装置。
背景技术
近来,在显示器的技术领域中正在开发薄且具有柔性等的优异特性的显示装置。相反地,目前商业化了的显示器主要以LCD(Liguid Crystal Display:液晶显示器)和AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes:有源矩阵有机发光二极管)为代表。
然而,在LCD的情况下,存在有响应时间不快且难以实现柔性的问题,而在AMOLED的情况下,存在有寿命短、量产效率不佳,而且柔性程度差的问题。
另一方面,发光二极管(Light Emitting Diode:LED)是用于将电流转换为光的众所周知的半导体发光元件,在1962年利用GaAsP(磷砷化镓)化合物半导体的红色LED成为商品化作为契机,与GaP:N系绿色LED一起被用作以信息通信设备为首的电子装置的显示图像用光源。因此,可以利用所述半导体发光元件来实现柔性显示器,从而可以提供解决上述问题的方法。
然而,在利用半导体发光元件的显示器的情况下,存在有难以实现大屏幕的显示装置的问题。因此,可以考虑在利用半导体发光元件的显示器中能够实现大屏幕的显示装置的制造工序。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的一目的在于,实现具有崭新结构的显示装置。
本发明的另一目的在于,提供一种用于实现显示装置的崭新的制造工序。
本发明的另一目的在于,提供一种崭新的制造工艺,其在将生长的半导体发光元件转移到电路基板的过程中,能够减少转移工序并能够提高转移精度。
解决问题的技术方案
根据本发明的显示装置,其特征在于,包括:基板;多个单元格,其具备从所述基板上凸出的分隔壁,并沿着一个方向依次配置;半导体发光元件,其容纳于多个所述单元格中的每一个;以及第一电极,其具备配置于多个所述单元格中的每一个的底部的多个电极线,并且与所述半导体发光元件电连接,多个所述单元格中的每一个的底部具有:被所述多个电极线覆盖的第一区域;和形成在多个所述电极线之间的第二区域。
实施例中,其特征在于,所述基板还包括介电层,其用于使所述第一电极与外部电极形成电场。
实施例中,其特征在于,在多个所述单元格中的每一个的内部,通过形成在多个所述电极线之间的所述第二区域来形成所述电场。
实施例中,其特征在于,设置于多个所述单元格的所述分隔壁形成为,覆盖配置于多个所述单元格中的每一个的所述第一电极的至少一部分。
实施例中,其特征在于,所述分隔壁由聚合物(polymer)材料形成,通过所述分隔壁在多个所述单元格中的每一个的内部形成所述电场。
实施例中,其特征在于,所述分隔壁的至少一部分形成为覆盖所述第一电极的至少一部分,所述分隔壁的其余部分覆盖所述介电层。
实施例中,其特征在于,所述第二区域具有多个狭缝(slit),多个所述狭缝被设置于所述第一电极的多个所述电极线分隔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的