[发明专利]利用半导体发光元件的显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201880088416.X | 申请日: | 2018-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN111684601A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
| 发明(设计)人: | 朴昶绪;沈奉柱 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 半导体 发光 元件 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板;
多个单元格,具备从所述基板上凸出的分隔壁,多个所述单元格沿着一个方向依次配置;
半导体发光元件,容纳于多个所述单元格中的每一个;以及
第一电极,具备配置于多个所述单元格中的每一个的底部的多个电极线,所述第一电极与所述半导体发光元件电连接,
多个所述单元格中的每一个的底部具有:
第一区域,被多个所述电极线覆盖;以及
第二区域,形成在多个所述电极线之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述基板还包括介电层,所述介电层使所述第一电极与外部电极形成电场。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
在多个所述单元格中的每一个的内部,通过形成在多个所述电极线之间的所述第二区域来形成所述电场。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
设置于多个所述单元格的所述分隔壁形成为,覆盖配置于多个所述单元格中的每一个的所述第一电极的至少一部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
所述分隔壁由聚合物材料形成,
通过所述分隔壁在多个所述单元格中的每一个的内部形成所述电场。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
所述分隔壁的至少一部分形成为覆盖所述第一电极的至少一部分,
所述分隔壁的其余部分形成为覆盖所述介电层。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第二区域具有至少一个狭缝,
至少一个所述狭缝被设置于所述第一电极的多个所述电极线分隔。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
分别容纳于多个所述单元格中的每一个的内部的所述半导体发光元件包括:
第一导电型电极和第二导电型电极;
第一导电型半导体层,所述第一导电型电极配置于所述第一导电型半导体层;
第二导电型半导体层,与所述第一导电型半导体层重叠,所述第二导电型电极配置于所述第二导电型半导体层;以及
活性层,配置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间,
所述第一导电型电极以与所述第一电极相向的方式配置。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,
所述半导体发光元件利用由所述第一电极和外部电极形成的电场来容纳于多个所述单元格。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,
还包括第二电极,所述第二电极配置于所述第二导电型电极的至少一部分,并且由沿着与所述第一电极交叉的方向延伸的电极线构成。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其特征在于,
所述基板具有一个表面和另一个表面,
在所述基板的一个表面设置有所述第一电极,在所述基板的另一个表面设置有第三电极,
在所述基板的一侧形成有贯通所述基板的导通孔。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,
所述第二电极和所述第二导电型电极经由所述导通孔与所述第三电极电连接。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述基板具有一个表面和另一个表面,
在所述基板的一个表面设置有所述第一电极,在所述基板的另一个表面设置有第三电极,
通过所述第一电极和所述第三电极在多个所述单元格中的每一个形成电场。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880088416.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:键开关机构、用户输入设备及制造键开关机构的方法
- 下一篇:显示系统和显示方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





