[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 201880087647.9 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN111656493A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 谷贵志;谷泽成规;秋山刚志 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,对基板供给处理液,且所述基板处理装置包括:
喷嘴管,朝所述基板喷出处理液;
送液管,连接于所述喷嘴管,并朝所述喷嘴管输送处理液;
抽吸管,在比所述送液管更靠下游侧处连接于所述喷嘴管,并对所述喷嘴管内的处理液进行抽吸;以及
处理部,对所述基板进行保持,通过自所述喷嘴管喷出的处理液来进行所述基板的处理,且
至少自所述抽吸管的连接位置起下游侧的所述喷嘴管的内径为所述抽吸管的内径以下。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述送液管的内径为自所述抽吸管的连接位置起上游侧的所述喷嘴管的内径以下。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中
自所述抽吸管的连接位置起下游侧的所述喷嘴管的内径小于自所述连接位置起上游侧的内径。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中
所述喷嘴管的内径、所述送液管的内径、及所述抽吸管的内径为相同。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,包括:
喷射器,对所述抽吸管内进行抽吸;
开闭阀,对连接所述抽吸管与所述喷射器的路径进行开闭;以及
流体箱,与所述处理部邻接地配置,收容处理液相关设备,且
所述开闭阀配置于所述流体箱附近。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其中
所述处理液为发泡状态的液体。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置,其中
所述送液管兼用作对所述喷嘴管内的处理液进行抽吸的管。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
自所述送液管抽吸的处理液与自所述抽吸管抽吸的处理液分别被回收至不同的收集罐。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置,其中
所述喷嘴管沿着铅垂方向延伸。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置,其中
在停止自所述送液管输送处理液前,开始自所述抽吸管抽吸所述喷嘴管内的处理液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880087647.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造