[发明专利]膜状粘接剂及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法

说明书

本发明公开一种膜状粘接剂，在介由第一导线将第一半导体元件引线接合连接于基板上的同时、将第二半导体元件压接在第一半导体元件上而成的半导体装置中，所述膜状粘接剂用于在压接第二半导体元件的同时埋入至少第一导线的至少一部分，膜状粘接剂具备第一粘接膜和层叠于第一粘接膜上的第二粘接膜，膜状粘接剂的溶剂含有率以膜状粘接剂总量为基准计为1.5质量％以下，膜状粘接剂的80℃下的剪切粘度为5000Pa·s以下。

技术领域

本发明涉及膜状粘接剂及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法。

背景技术

一直以来，在半导体芯片与半导体芯片搭载用的支撑构件的接合中主要使用银糊料。但是，随着近年的半导体芯片的小型化及集成化，对所使用的支撑构件也变得要求小型化及细密化。另一方面，使用银糊料时，有时会发生因糊料的溢出或半导体芯片的倾斜所导致的引线接合时的不良情况、膜厚控制的困难性、产生空孔等问题。

因此，近年来使用用于接合半导体芯片和支撑构件的膜状粘接剂(例如参照专利文献1)。在使用具备切割带和层叠于切割带上的膜状粘接剂的粘接片材时，通过在半导体晶片的背面粘贴膜状粘接剂，利用切割将半导体晶片制成单片，从而可以获得带有膜状粘接剂的半导体芯片。所得的带有膜状粘接剂的半导体芯片可以介由膜状粘接剂粘贴在支撑构件上，利用热压接而接合。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-053240号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，随着半导体芯片的尺寸减小，在热压接时施加于每单位面积的力增大，有时会发生膜状粘接剂从半导体芯片溢出的所谓渗出的现象。

另外，将膜状粘接剂作为导线埋入型膜状粘接剂FOW(Film Over Wire，线包裹膜)或半导体芯片埋入型膜状粘接剂FOD(Film Over Die，芯片包裹膜)使用时，从提高埋入性的观点出发，在热压接时要求高的流动性。因此，具有渗出的发生频率及量进一步增大的倾向。根据情况，有渗出发生至半导体芯片上表面、由此导致电故障或引线接合故障的危险。

本发明鉴于这种实情而作出，其主要目的在于提供在热压接时具有良好的埋入性的同时能够抑制渗出的膜状粘接剂。

用于解决技术问题的手段

本发明人们进行了深入研究时发现，通过使用层叠有粘接膜的膜状粘接剂、进而调整膜状粘接剂的溶剂含有率及剪切粘度，可解决上述技术问题，从而完成了本发明。

本发明的一个方面提供一种膜状粘接剂，在介由第一导线将第一半导体元件引线接合连接于基板上的同时、将第二半导体元件压接在第一半导体元件上而成的半导体装置中，所述膜状粘接剂用于在压接第二半导体元件的同时埋入第一导线的至少一部分，膜状粘接剂具备第一粘接膜和层叠于第一粘接膜上的第二粘接膜，膜状粘接剂的溶剂含有率以膜状粘接剂总量为基准计为1.5质量％以下，膜状粘接剂的80℃下的剪切粘度为5000Pa·s以下。根据这种膜状粘接剂，在热压接时具有良好的埋入性的同时能够抑制渗出。

膜状粘接剂的厚度可以为3～150μm。膜状粘接剂的80℃下的储存弹性模量可以为10MPa以下。

另一方面中，本发明提供一种膜状粘接剂的制造方法，其为上述膜状粘接剂的制造方法，其具备以下工序：将含有溶剂的第一粘接剂组合物的清漆涂布在基材上，在50～150℃下对所涂布的第一粘接剂组合物的清漆进行加热干燥，制作溶剂含有率以第一粘接膜总量为基准计为1.5质量％以下的第一粘接膜的工序；将含有溶剂的第二粘接剂组合物的清漆涂布在基材上，在50～150℃下对所涂布的第二粘接剂组合物的清漆进行加热干燥，制作溶剂含有率以第二粘接膜总量为基准计为1.5质量％以下的第二粘接膜的工序；以及将第一粘接膜和第二粘接膜粘贴的工序。