[发明专利]膜状粘接剂及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种膜状粘接剂，在介由第一导线将第一半导体元件引线接合连接于基板上的同时、将第二半导体元件压接在所述第一半导体元件上而成的半导体装置中，所述膜状粘接剂用于在压接所述第二半导体元件的同时埋入所述第一导线的至少一部分，

所述膜状粘接剂具备第一粘接膜和层叠于所述第一粘接膜上的第二粘接膜，

所述膜状粘接剂的溶剂含有率以膜状粘接剂总量为基准计为1.5质量％以下，

所述膜状粘接剂的80℃下的剪切粘度为5000Pa·s以下。

2.根据权利要求1所述的膜状粘接剂，其中，所述膜状粘接剂的厚度为3～150μm。

3.根据权利要求1或2所述的膜状粘接剂，其中，所述膜状粘接剂的80℃下的储存弹性模量为10MPa以下。

4.一种膜状粘接剂的制造方法，其为权利要求1～3中任一项所述的膜状粘接剂的制造方法，其具备以下工序：

将含有溶剂的第一粘接剂组合物的清漆涂布在基材上，在50～150℃下对所涂布的所述第一粘接剂组合物的清漆进行加热干燥，制作溶剂含有率以第一粘接膜总量为基准计为1.5质量％以下的第一粘接膜的工序；

将含有溶剂的第二粘接剂组合物的清漆涂布在基材上，在50～150℃下对所涂布的所述第二粘接剂组合物的清漆进行加热干燥，制作溶剂含有率以第二粘接膜总量为基准计为1.5质量％以下的第二粘接膜的工序；以及

将所述第一粘接膜和所述第二粘接膜贴合的工序。

5.一种半导体装置，其是在介由第一导线将第一半导体元件引线接合连接于基板上的同时、介由权利要求1～3中任一项所述的膜状粘接剂将第二半导体元件压接在所述第一半导体元件上，从而将所述第一导线的至少一部分埋入到所述膜状粘接剂中而成的。

6.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：

介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的引线接合工序；

将权利要求1～3中任一项所述的膜状粘接剂粘贴在第二半导体元件的单面上的层压工序；以及

介由所述膜状粘接剂将粘贴有所述膜状粘接剂的第二半导体元件进行压接，从而将所述第一导线的至少一部分埋入到所述膜状粘接剂中的芯片接合工序。