[发明专利]非易失性存储装置以及其写入方法

说明书

非易失性存储装置(10)具备：存储器组，作为按照电阻值的大小记录数字数据的电阻变化型的多个存储单元(21)的至少一个数据单元与至少一个虚设单元相关联而构成；以及读出电路(11)，对构成存储器组的多个存储单元(21)的每一个，并行执行读出工作，在至少一个虚设单元记录，用于使执行读出电路(11)的读出工作时发生的边信道泄漏与至少一个数据单元记录的信息数据的相关关系变小的虚设数据。

技术领域

本公开涉及，非易失性存储装置，尤其涉及，具有多个电阻变化型的非易失性存储单元的非易失性存储装置等。

背景技术

网络银行以及网络购物等的、经由互联网进行的电子商务服务的市场迅速扩展。作为此时的结算方法利用电子货币，作为其媒体利用的IC(“Integrated Circuit”，以下相同。)卡、以及智能手机终端的利用也同样扩展。在这样的服务中，为了结算时的安全性，而针对通信中的相互认证以及通信数据的加密总是需要水平更高的安全技术。

关于软件技术，积蓄了以高度的加密算法为中心的程序处理的加密技术，实现充分的安全性。但是，根据技术进步，从外部直接硬件性地读取电路内部的信息的可能性迅速提高。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1：日本特开2007-67942号公报

专利文献2：日本特开2006-25366号公报

专利文献3：日本特开2016-105585号公报

专利文献4：国际公开第2014/119329号

专利文献5：国际公开第2010/100015号

(非专利文献)

非专利文件1：Paul Kocher,et al.“Introduction to Differential PowerAnalysis and Related Attacks”1998

非专利文件2：Georgios Selimis,et al.“Evaluation of 90nm6T-SRAM asPhysical Unclonable Function for Secure Key Generation in Wireless SensorNodes”

非专利文件3：An Chen,“Comprehensive Assessment of RRAM-based PUF forHardware Security Applications”IEDM2015

非专利文件4：P.H.Tseng,et al.“Error Free Physically UnclonableFunction(PUF)with Programmed ReRAM using Reliable Resistance States by NovelID-Generation Method”SSDM2017

发明内容

本公开提供，具有高防篡改性的非易失性存储装置。

本公开的一个形态涉及的非易失性存储装置，具备：存储器组，至少一个数据单元与至少一个虚设单元相关联而构成，该至少一个数据单元以及至少一个虚设单元是按照电阻值的大小记录数字数据的电阻变化型的多个存储单元；以及读出电路，对构成所述存储器组的多个存储单元的每一个，并行执行读出工作，在所述至少一个虚设单元记录虚设数据，该虚设数据用于使执行所述读出电路的读出工作时发生的边信道泄漏与所述至少一个数据单元记录的信息数据的相关关系变小。

根据本公开，提供具有高防篡改性的非易失性存储装置。

附图说明

图1是示出实施方式涉及的电阻变化型非易失性存储装置的概略结构的一个例子的框图。