[发明专利]非易失性存储装置以及其写入方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，具备：

存储器组，至少一个数据单元与至少一个虚设单元相关联而构成，该至少一个数据单元以及至少一个虚设单元是按照电阻值的大小记录数字数据的电阻变化型的多个存储单元；以及

读出电路，对构成所述存储器组的多个存储单元的每一个，并行执行读出工作，

在所述至少一个虚设单元记录虚设数据，该虚设数据用于使执行所述读出电路的读出工作时发生的边信道泄漏与所述至少一个数据单元记录的信息数据的相关关系变小。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，

所述非易失性存储装置具备写入电路，

所述写入电路，根据所述至少一个数据单元记录的信息数据，对所述至少一个虚设单元进行所述虚设数据的写入工作。

3.如权利要求1所述的非易失性存储装置，

在所述多个存储单元记录物理不可克隆函数数据即PUF数据，所述PUF数据是利用了物理上的差异特性的设备固有的数据。

4.如权利要求3所述的非易失性存储装置，

所述多个存储单元包括可变状态的存储单元，该可变状态的存储单元，通过被施加互不相同的多个电信号，电阻值在多个可变阻抗值范围之间进行可逆迁移，

关于用于所述PUF数据的物理上的特性差异，利用所述可变状态的存储单元的同一电阻状态下的电阻值的差异。

5.如权利要求3所述的非易失性存储装置，

所述多个存储单元包括可变状态的存储单元以及初始状态的存储单元，

所述可变状态的存储单元，通过被施加互不相同的多个电信号，电阻值在多个可变阻抗值范围之间进行可逆迁移，

所述初始状态的存储单元，只要不被施加用于变化为所述可变状态的电应力即成形应力，就不会成为所述可变状态，并且，电阻值处于与所述多个可变阻抗值范围的任一个都不重叠的初始电阻值范围，

关于用于所述PUF数据的物理上的特性差异，利用所述成形应力所需要的积累脉冲时间的差异。

6.如权利要求3所述的非易失性存储装置，

所述至少一个数据单元记录所述PUF数据，

构成所述存储器组的多个存储单元不记录所述PUF数据的纠错数据。

7.如权利要求1至6的任一项所述的非易失性存储装置，

所述虚设数据是，用于使所述至少一个数据单元与所述至少一个虚设单元的汉明重量成为规定的值的数据。

8.如权利要求1至6的任一项所述的非易失性存储装置，

所述虚设数据是随机数据。

9.如权利要求6所述的非易失性存储装置，

所述多个存储单元包括可变状态的存储单元，该可变状态的存储单元，通过被施加互不相同的多个电信号，电阻值在多个可变阻抗值范围之间进行可逆迁移，

所述至少一个虚设单元是所述可变状态的存储单元，

所述虚设数据是所述可变状态的存储单元的同一电阻状态下的电阻值。

10.一种写入方法，是非易失性存储装置的写入方法，所述非易失性存储装置具备存储器组以及读出电路，

所述存储器组，至少一个数据单元与至少一个虚设单元相关联而构成，该至少一个数据单元以及至少一个虚设单元是按照电阻值的大小记录数字数据的电阻变化型的多个存储单元；所述读出电路，对所述多个存储单元的每一个，并行执行读出工作，

在所述写入方法中，

向所述至少一个虚设单元写入虚设数据，该虚设数据用于使执行所述读出电路的读出工作时发生的边信道泄漏与所述至少一个数据单元记录的信息数据的相关关系变小。