[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
申请号: | 201880087065.0 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN111630635A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 东克荣;菅原雄二;竹松佑介;石川友也 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;焦成美 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
基板处理方法,其是向形成有图案的基板表面供给药液而对基板进行处理的方法,所述基板处理方法包括:基板保持工序,对基板进行保持;药液供给工序,向基板的至少前述表面供给前述药液;低导电性液体供给工序,在前述药液供给工序之前,为了对基板进行除电,向基板的前述表面供给导电性比前述药液低的低导电性液体;以及高导电性液体供给工序,在前述低导电性液体供给工序之前,为了对基板进行除电,不向基板的前述表面而向基板中与前述表面相反侧的背面供给导电性低于前述药液且高于前述低导电性液体的高导电性液体。
技术领域
本发明涉及对基板表面进行处理的基板处理方法及基板处理装置。成为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(electroluminescence,电致发光)显示装置等FPD(FlatPanel Display,平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置的制造工序中,例如逐片地对基板进行处理的单片式基板处理装置具备:处理腔室;旋转夹头,在处理腔室内大致水平地保持基板并使该基板旋转;以及喷嘴,用于向利用该旋转夹头而使之旋转的基板表面(形成有图案(器件)的面)排出药液。
在使用这样的基板处理装置的基板处理中,例如从喷嘴朝向旋转状态的基板表面的例如中央部排出药液。被供给至基板表面的中央部的药液受到因基板旋转而产生的离心力,在基板表面上朝向周缘流动,而遍布至基板表面的整个区域。由此,对基板表面的整个区域实施采用药液进行的处理。
被搬入至处理腔室的基板有时因其前工序(离子注入、干蚀刻)而在基板表面蓄积电荷(即带电)。若在被搬入至处理腔室的基板表面蓄积电荷,则来自喷嘴的药液向基板表面着液时,基板表面与药液接触而在基板表面发生急剧的电荷变化,有可能在药液的着液位置或其附近发生静电放电(电弧放电)。其结果,存在图案(器件)被破坏或图案穿孔等在基板表面产生局部缺陷的情况。
为此,在下述专利文献1中可知:为了防止在药液供给开始时于基板表面发生静电放电,而在开始供给药液前向基板表面供给电导率比药液低的除电液(例如碳酸水)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利申请公开第2009/211610号说明书
发明内容
发明要解决的课题
但是,有时被搬入至处理腔室的基板的带电量多。对于使用碳酸水的除电而言,由于电荷移动快,因此在碳酸水向基板着液时会随着基板表面与碳酸水的接触而发生静电放电。
另外,为了使基板的带电量缓慢地下降,还考虑向基板表面供给电导率比碳酸水低的除电液(例如DIW(去离子水))、并在该供给后向基板表面供给碳酸水。但是,在基板的带电量多的情况下,还有可能即便向基板表面供给DIW也发生静电放电。
即,需要抑制或防止向基板供给药液所伴随的静电放电的发生、同时还抑制或防止向基板供给除电液(碳酸水、DIW)所伴随的静电放电的发生。换言之,需要抑制或防止向基板供给液体所伴随的静电放电的发生。
为此,本发明的目的在于提供能够抑制或防止向基板表面供给液体所伴随的静电放电的发生、从而能够抑制或防止于基板表面产生局部缺陷的基板处理方法及基板处理装置。
用于解决课题的手段
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造