[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
申请号: | 201880087065.0 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN111630635A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 东克荣;菅原雄二;竹松佑介;石川友也 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;焦成美 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.基板处理方法,其是向形成有图案的基板表面供给药液而对基板进行处理的方法,
所述基板处理方法包括:
基板保持工序,对基板进行保持;
药液供给工序,向基板的至少所述表面供给所述药液;
低导电性液体供给工序,在所述药液供给工序之前,为了对基板进行除电,向基板的所述表面供给导电性比所述药液低的低导电性液体;以及
高导电性液体供给工序,在所述低导电性液体供给工序之前,为了对基板进行除电,不向基板的所述表面而向基板中与所述表面相反侧的背面供给导电性低于所述药液且高于所述低导电性液体的高导电性液体。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其还包括下述工序:在进行所述低导电性液体供给工序的同时,为了对基板进行除电,向基板的所述背面供给所述低导电性液体或所述高导电性液体。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,不在进行所述高导电性液体供给工序的同时向基板的所述表面供给液体。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其还包括:接近位置配置工序,在进行所述高导电性液体供给工序的同时,将具有与基板的所述表面的整个区域对置的基板对置面的对置部件配置于使所述基板对置面与基板的所述表面接近的接近位置。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其还包括:第二高导电性液体供给工序,在所述低导电性液体供给工序之后且所述药液供给工序之前,为了对基板进行除电,向基板的至少所述表面供给所述高导电性液体。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,所述基板保持工序包括使利用导电性材料所形成的导电部与基板的周缘部接触而对基板进行保持的工序。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,所述低导电性液体包含去离子水。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,所述高导电性液体包含含有离子的液体。
9.基板处理装置,其包括:
基板保持单元,对在表面形成有图案的基板进行保持;
药液供给单元,用于向被所述基板保持单元保持的基板的所述表面供给具有导电性的药液;
低导电性液体供给单元,用于向被所述基板保持单元保持的基板的所述表面供给导电性比所述药液低的低导电性液体;
高导电性液体供给单元,用于向被所述基板保持单元保持的基板中与所述表面相反侧的背面供给导电性低于所述药液且高于所述低导电性液体的高导电性液体;以及
控制装置,对所述药液供给单元、所述低导电性液体供给单元及所述高导电性液体供给单元进行控制,
所述控制装置执行下述工序:
药液供给工序,向基板的至少所述表面供给所述药液;
低导电性液体供给工序,在所述药液供给工序之前,为了对基板进行除电,向基板的所述表面供给所述低导电性液体;以及
高导电性液体供给工序,在所述低导电性液体供给工序之前,不向基板的所述表面而向基板中与所述表面相反侧的背面供给所述高导电性液体。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其还包括:对置部件,具有与被所述基板保持单元的基板的所述表面的整个区域对置的基板对置面,并且被配置于使所述基板对置面与基板的所述表面接近的接近位置。
11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置,其中,所述基板保持单元具有使用导电性材料而形成的导电销,所述导电销是对基板的周缘部进行接触支承的保持销。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造