[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明的半导体装置的制造方法包括：组装体形成工序，在电极24与电极连接片32之间配置焊锡材料44，焊锡材料44具有被配置于电极24的表面且含有助焊剂的第一焊锡材料层41、被配置于电极连接片32的表面且含有助焊剂的第二焊锡材料层42、以及被配置于第一焊锡材料层41与第二焊锡材料层42之间的且不含有助焊剂的第三焊锡材料层43相叠层后的构造，并且，组装体形成工序形成配置有基板10、半导体芯片20以及引线30的组装体50，使得电极24与电极连接片32成为夹着焊锡材料44的相向状态；以及接合工序，将电极24与电极连接片32经由焊锡40进行接合。根据本发明的半导体装置的制造方法，能够制造可靠性不易下降的半导体装置，并且能够防止接合工序变得繁杂。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，有一种半导体装置的制造方法已被普遍知晓，其用于制造经由焊锡而接合有半导体芯片与引线的半导体装置(参照专利文献1)。

如图9所示，专利文献1中记载的以往的半导体装置900包括：基板910，其具有半导体芯片搭载面912；半导体芯片920，其被搭载于半导体芯片搭载面912上，且具有形成于与半导体芯片搭载面912是相向的面上的集电极922、以及具有形成于与半导体芯片搭载面912相向的面是相反侧的面上的发射极924(电极)及形成于与发射极924分离的位置上的栅电极926；以及引线930，其具有电极连接片932，并且该电极连接片932经由焊锡940而与发射极924相接合。

根据以往的半导体装置900，电极连接片932是经由焊锡940而与发射极924相接合，即，由于是仅经由焊锡940(不经由导线等中间构件)来直接连接半导体芯片920与引线930，因此，半导体装置900适于具有较大的电流容量且使用大电流的电子设备(例如电源)。

以往的半导体装置900是通过如下制造方法(以往的半导体装置的制造方法)来进行制造的。即，以往的半导体装置的制造方法包含：组装体形成工序，该工序形成配置有基板910、半导体芯片920以及引线930的组装体，使得发射极924与电极连接片932成为夹着焊锡材料的相向状态；以及接合工序，该工序在将焊锡材料熔融后，通过将焊锡材料固化来将发射极924与电极连接片932经由焊锡940进行接合。

【先行技术文献】

【专利文献1】特开2010-123686号公报

【专利文献2】特开2017-199809号公报

一般来说，众所周知，为了缓和作用于半导体芯片与引线之间的焊锡的应力(例如热应力)，将该焊锡的厚度保持在一定厚度以上是比较有效的方法(参照专利文献2)。

然而，在使用含有助焊剂的焊锡材料(例如糊状的焊锡膏)来作为焊锡材料944的情况下，由于接合工序前的焊锡材料944变得过厚(参照图10(a))，故而在将引线930配置在焊锡材料944上后，焊锡材料944会有可能在压坏后溢出到不希望的位置上，并且制造后的半导体装置的可靠性也有可能会下降(参照图10(b))。

另一方面，在使用不含助焊剂的焊锡材料(粒状焊锡)来作为焊锡材料944的情况下，由于无法通过助焊剂来去除焊锡材料表面的氧化物，故而为了防止焊锡与半导体芯片之间的接合强度、及焊锡与引线之间的接合强度变低，就必须在特殊的条件(在氢气氛下等)下实施接合工序，因此接合工序就会变得繁杂。

所以，本发明为了解决上述问题，目的是提供一种半导体装置的制造方法，该制造方法能够制造可靠性不易下降的半导体装置，并且还能够防止接合工序变得繁杂。

发明内容