[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其制造的半导体装置具备：基板，其具有半导体芯片搭载面；半导体芯片，其被搭载于所述半导体芯片搭载面上，且具有形成在所述半导体芯片搭载面相向的面的相反侧的面上的电极；以及引线，其具有电极连接片，并且所述电极连接片经由焊锡而与所述电极相接合，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

组装体形成工序，在所述电极与所述电极连接片之间配置焊锡材料，所述焊锡材料具有被配置于所述电极的表面且含有助焊剂的呈糊状的第一焊锡材料层、被配置于所述电极连接片的表面且含有助焊剂的呈糊状的第二焊锡材料层、以及被配置于所述第一焊锡材料层与所述第二焊锡材料层之间的且不含有助焊剂的呈固体状的第三焊锡材料层相叠层后的构造，并且，所述组装体形成工序形成配置有所述基板、所述半导体芯片以及所述引线的组装体，使得所述电极与所述电极连接片成为夹着所述焊锡材料的相向状态；以及

接合工序，在将所述焊锡材料熔融后，通过将所述焊锡材料固化来将所述电极与所述电极连接片经由所述焊锡进行接合，

其中，在所述组装体形成工序中，所述第三焊锡材料层的厚度在所述焊锡材料厚度的60％～90％的范围内，

所述焊锡的厚度大于等于300μm。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述组装体形成工序中，所述第三焊锡材料层的组成与除去助焊剂成分的所述第一焊锡材料层的组成及除去助焊剂成分的所述第二焊锡材料层的组成中的至少任意一方相同。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述组装体形成工序中，将所述第一焊锡材料层及所述第三焊锡材料层配置在所述电极上，并且在将第二焊锡材料层配置在所述电极连接片上后，将所述第三焊锡材料层与所述第二焊锡材料层重叠来形成所述组装体。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述组装体形成工序中，在所述半导体芯片上配置所述第一焊锡材料层、所述第三焊锡材料层及所述第二焊锡材料层后，将所述第二焊锡材料层与所述引线的所述电极连接片重叠来形成所述组装体。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述组装体形成工序中，使用分配器来配置所述第一焊锡材料层及所述第二焊锡材料层。