[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置在审
申请号: | 201880086471.5 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN111602232A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 大岛功 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 电力 转换 | ||
在绝缘基板(1)的电极(3)之上环状地形成第1定位树脂(4)。在第1定位树脂(4)的环的内侧,在电极(3)之上配置厚度比第1定位树脂(4)薄的第1板状焊料(5)。在第1板状焊料(5)之上配置半导体芯片(6)。将第1板状焊料(5)熔融而将半导体芯片(6)的下表面接合于电极(3)。
技术领域
本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置。
背景技术
与工业设备、电力铁道、汽车的发展相伴,它们所使用的半导体装置的使用温度也随之提高。近年来,积极地进行在高温下也进行工作的半导体装置的开发,半导体装置的小型化、高耐压化、高电流密度化不断发展。特别地,SiC或GaN等宽带隙半导体比Si带隙大,期待使用了宽带隙半导体的半导体装置的高耐压化、小型化、高电流密度化、高温工作。
就这样的半导体装置而言,使用焊料将半导体芯片接合于绝缘基板的电极。此时,通过在半导体芯片的安装位置的周围设置阻焊剂,从而能够对熔融的焊料的润湿扩展进行抑制(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2001-298033号公报
发明内容
但是,就通常的阻焊剂而言,不能够进行熔融前的板状焊料的定位。因此,当前主要使用碳制的夹具来进行半导体芯片和板状焊料的定位。但是,在生产半导体芯片的形状及配置不同的其它品种时,需要每次制作夹具,存在生产成本变高,生产率低这样的问题。
本发明就是为了解决上述那样的课题而提出的,其目的在于,得到能够降低生产成本,使生产率提高的半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置。
本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于,具有如下工序:在绝缘基板的电极之上环状地形成第1定位树脂;在所述第1定位树脂的环的内侧,在所述电极之上配置厚度比所述第1定位树脂薄的第1板状焊料;在所述第1板状焊料之上配置半导体芯片;以及将所述第1板状焊料熔融而将所述半导体芯片的下表面接合于所述电极。
发明的效果
在本发明中,在第1定位树脂的环的内侧,在电极之上配置厚度比第1定位树脂薄的第1板状焊料。由此,能够以不使用专用的夹具的方式,通过第1定位树脂进行第1板状焊料的定位。其结果,能够降低生产成本,使生产率提高。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。
图2是表示实施方式1涉及的第1及第2定位树脂的俯视图。
图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。
图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。
图5是表示实施方式2涉及的第1定位树脂的俯视图。
图6是表示电力转换系统的结构的框图,该电力转换系统应用了实施方式3涉及的电力转换装置。
具体实施方式
参照附图,对实施方式涉及的半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号,有时省略重复的说明。
实施方式1.
图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。图2是表示实施方式1涉及的第1及第2定位树脂的俯视图。本实施方式涉及的半导体装置例如为广泛用于家电用途、工业用途、汽车用途、电车用途等的功率模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造