[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置在审
| 申请号： | 201880086471.5 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111602232A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 大岛功 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 电力 转换 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有如下工序：
在绝缘基板的电极之上环状地形成第1定位树脂；
在所述第1定位树脂的环的内侧，在所述电极之上配置厚度比所述第1定位树脂薄的第1板状焊料；
在所述第1板状焊料之上配置半导体芯片；以及
将所述第1板状焊料熔融而将所述半导体芯片的下表面接合于所述电极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体芯片落入所述第1定位树脂的环的内侧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第1定位树脂配置为多个点状。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
还具有如下工序：
在所述半导体芯片的上表面环状地形成第2定位树脂；
在所述第2定位树脂的环的内侧，在所述半导体芯片的上表面配置厚度比所述第2定位树脂薄的第2板状焊料；
在所述第2板状焊料之上配置配线电极；以及
将所述第2板状焊料熔融而将所述配线电极接合于所述半导体芯片的上表面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。
6.一种半导体装置，其特征在于，具有：
绝缘基板，其具有电极；
定位树脂，其环状地设置于所述电极之上；
焊料，其在所述定位树脂的环的内侧设置于所述电极之上，厚度比所述定位树脂薄；以及
半导体芯片，其通过所述焊料而接合于所述电极，
所述定位树脂配置为多个点状。
7.一种电力转换装置，其特征在于，具有：
主转换电路，其具有权利要求6所述的半导体装置，该主转换电路对被输入进来的电力进行转换而输出；以及
控制电路，其将对所述主转换电路进行控制的控制信号输出至所述主转换电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
