[发明专利]弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，设置在作为天线端子的第1端子与不同于所述第1端子的第2端子之间，其中，

所述弹性波装置具备多个弹性波谐振器，

所述多个弹性波谐振器包含：

多个串联臂谐振器，设置在将所述第1端子和所述第2端子连结的第1路径上；以及

多个并联臂谐振器，设置在将所述第1路径上的多个节点的每一个和接地连结的多个第2路径上，

在将所述多个弹性波谐振器中的在电学上最靠近所述第1端子的弹性波谐振器设为天线端谐振器的情况下，

所述天线端谐振器是第1弹性波谐振器，

所述多个弹性波谐振器中的所述天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器是第2弹性波谐振器，

所述第1弹性波谐振器以及所述第2弹性波谐振器各自包含：

压电体层；

IDT电极，形成在所述压电体层上，具有多个电极指；

高声速构件，夹着所述压电体层位于与所述IDT电极相反侧，传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速；以及

低声速膜，设置在所述高声速构件与所述压电体层之间，传播的体波的声速与在所述压电体层传播的体波的声速相比为低速，

在将由所述IDT电极的所述多个电极指的周期即电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，所述压电体层的厚度为3.5λ以下，

将所述波长设为λ，其单位为μm，将所述IDT电极的厚度设为T_IDT，其单位为μm，将所述IDT电极的比重设为ρ，其单位为g/cm³，将电极指的宽度除以所述电极指周期的二分之一的值而得到的值即占空比设为Du，将所述压电体层的厚度设为T_LT，其单位为μm，将所述低声速膜的厚度设为T_VL，其单位为μm，在该情况下，以由式(1)求出的θ_B°为基准，所述第1弹性波谐振器的所述压电体层的切割角在θ_B±4°的范围内，

[数学式1]

与所述第1弹性波谐振器的所述压电体层的切割角相比，所述第2弹性波谐振器的所述压电体层的切割角与θ_B°的差异大。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

所述多个弹性波谐振器中的包含所述天线端谐振器的至少一个弹性波谐振器是所述第1弹性波谐振器，

所述多个弹性波谐振器中的所述至少一个弹性波谐振器以外的弹性波谐振器是所述第2弹性波谐振器，

所述第1弹性波谐振器是与所述第2弹性波谐振器不同的芯片。

3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述压电体层的材料为钽酸锂或铌酸锂，

所述低声速膜的材料为氧化硅，

所述高声速构件的材料为硅。

4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述第1弹性波谐振器以及所述第2弹性波谐振器各自还包含支承基板，

所述高声速构件包含：高声速膜，形成在所述支承基板上，传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速，

所述低声速膜形成在所述高声速膜上。

5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，

所述压电体层的材料为钽酸锂或铌酸锂，

所述低声速膜的材料为从由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、氧化硅中添加了氟、碳或硼的化合物构成的组选择的至少一种材料，

所述高声速膜的材料为从由类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、以及金刚石构成的组选择的至少一种材料。

6.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，

所述多个串联臂谐振器中的一个串联臂谐振器在电学上比所述多个并联臂谐振器靠近所述第1端子，

所述一个串联臂谐振器是所述天线端谐振器。