[发明专利]半导体激光装置有效

专利信息
申请号: 201880085920.4 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN111566882B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 田尻浩之 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01S5/0233 分类号: H01S5/0233;H01S5/02345
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 激光 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体激光装置,其特征在于,包括:

半导体激光元件;

支承所述半导体激光元件的基体;和

配线部,其形成于所述基体,构成向所述半导体激光元件去的导通路径,

所述基体具有:朝向该基体的厚度方向上的一侧且搭载所述半导体激光元件的搭载面;和相对于所述半导体激光元件位于与所述厚度方向成直角的第1方向上的一侧的出射部,

来自所述半导体激光元件的光通过所述出射部而出射,

所述基体具有相对于所述半导体激光元件位于所述厚度方向上的所述一侧的开口,

所述基体具有朝向所述厚度方向的安装面,

所述配线部具有形成于所述安装面的安装端子部,

所述配线部具有形成于所述搭载面且搭载所述半导体激光元件的元件搭载部,

所述基体具有:朝向所述第1方向上的另一侧且到达所述安装面的后方端面;和从所述后方端面凹陷且到达所述安装面的至少一个后方槽部,

所述配线部具有至少一个后方连接部,该后方连接部形成于所述后方槽部并且使所述半导体激光元件和所述安装端子部导通。

2.如权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述出射部包括使来自所述半导体激光元件的光透射的第1盖部。

3.如权利要求2所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述第1盖部具有使来自所述半导体激光元件的光折射的透镜部。

4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体激光装置,其特征在于:

还具有封闭所述开口的第2盖部。

5.如权利要求1~3中任一项所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述安装面朝向所述厚度方向上的所述一侧。

6.如权利要求1~3中任一项所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述安装面朝向所述厚度方向上的另一侧。

7.如权利要求1~3中任一项所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述基体具有:相对于所述搭载面位于所述厚度方向上的所述另一侧的底部;和从所述底部向所述厚度方向上的所述一侧突出并且构成所述搭载面的基座部。

8.如权利要求1~3中任一项所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述半导体激光元件具有发挥发光功能的半导体层和支承所述半导体层的副基座。

9.如权利要求7所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述基体具有内侧端面,该内侧端面相对于所述半导体激光元件位于所述第1方向上的所述另一侧且相对于所述厚度方向倾斜。

10.如权利要求7所述的半导体激光装置,其特征在于:

还具有引线,

所述配线部具有至少1个引线接合部,该引线接合部相对于所述半导体激光元件位于所述第1方向上的所述另一侧且相对于所述搭载面位于所述厚度方向上的所述一侧,

所述引线与所述半导体激光元件和所述引线接合部连接。

11.如权利要求10所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述半导体激光元件具有多个波导路,该多个波导路在与所述第1方向和所述厚度方向均成直角的第2方向上排列,且各自独立地向所述第1方向上的一侧出射光。

12.如权利要求11所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述至少1个后方槽部包括在所述第2方向上排列的多个后方槽部,

所述至少1个引线接合部包括在所述第2方向上排列的多个引线接合部,

所述至少1个后方连接部包括分别形成于所述多个后方槽部的多个后方连接部,

所述配线部具有多个第2带状部,各第2带状部使所述多个引线接合部中的1个和所述多个后方连接部中的1个彼此导通,

所述多个第2带状部在所述第2方向上排列,且各自在所述第1方向上延伸。

13.如权利要求1~3中任一项所述的半导体激光装置,其特征在于:

还具有由所述基体支承且与所述配线部导通的温度检测元件。

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