[发明专利]硅晶片的评价方法有效
| 申请号： | 201880083802.X | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111512424B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 须藤治生;荒木延惠;冈部和树;荒木浩司 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G01N21/956 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱美红;王丽辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 评价 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶片的评价方法，其特征在于，具有：
划区解析步骤，将被热处理后的单晶的硅晶片的表面划分为1mm2以上25mm2以下的用等间隔的线段分隔的划区，基于红外偏振光的消偏振值来判别前述划区各自的应变的有无；以及
筛选步骤，将在前述划区解析步骤中被判别为具有应变的划区的相邻数不超过规定的阈值的硅晶片评价为合格品；
前述规定的阈值通过预先取得使用X射线表面形态测量学评价的硅晶片的滑移的长度与被判别为具有应变的划区的相邻数的关系而被决定。
2.如权利要求1所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，前述被判别为具有应变的划区的相邻数被定义为在以被判别为具有应变的划区为中心的周围的前后左右斜向四方被判别为具有应变的划区的总数。
3.如权利要求1或2所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，基于前述消偏振值的应变的有无的判别是使用短周期成分来进行的，所述短周期成分是将测量出的消偏振值平滑处理而抽出长周期成分并将该长周期成分从前述测量出的消偏振值除去而得到的。
4.如权利要求1或2所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，前述硅晶片的表面粗糙度Ra为0.1μm以下。
5.如权利要求4所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，前述硅晶片的表面粗糙度Ra为0.001μm以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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