[发明专利]硅晶片的评价方法

说明书

提供一种能够尽量不受硅晶片的表面状态、加工内容的制约、而非破坏且非接触地检查给半导体器件的电气特性带来影响的滑移的硅晶片的评价方法。硅晶片的评价方法具有：划区解析步骤，将被热处理后的单晶的硅晶片划分为1mmsupgt;2/supgt;以上25mmsupgt;2/supgt;以下的等间隔的划区，基于红外偏振光的消偏振值来判别前述划区各自的应变的有无；以及筛选步骤，将在前述划区解析步骤中被判别为具有应变的划区的相邻数不超过规定的阈值的硅晶片评价为合格品。

技术领域

本发明涉及被用于半导体器件的基板的硅晶片的评价方法。

背景技术

被用于半导体器件的基板的硅晶片被要求在成为半导体器件的活性区域的表面及表层中形成不存在被称作COP(Crystal Originated Particle；晶体原生颗粒)的空隙缺陷的无缺陷层。作为与这样的要求对应的技术，已知有使用纵型炉将硅晶片在1100℃以上的温度下施以分批式热处理的技术、施以急速升降温热处理(RTP；Rapid ThermalProcess；快速热处理)的技术。

另一方面，硅晶片有因在热处理时承受热应力、弯曲应力而滑移(slip)发生并塑性变形的情况。该滑移是指线状的位错缺陷的束，根据其发生程度，成为给作为完成品的半导体器件的电气特性带来影响的主要因素。因而，需要在出厂前检查滑移的发生，防止不适合品的流出。

作为检查滑移的发生的方法，有着眼于当发生了滑移时在硅晶片的表面出现阶差的情况较多的方法。

具体而言，已知有使用在硅晶片的最终外观检查中使用的表面检查装置(例如KLA-Tencor公司制的Surfscan SP2)检测起因于滑移的发生的阶差、来检测滑移的发生的检查方法。

此外，还已知有通过热处理使潜在于硅晶片的表面层的应变显现化的手法(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-292054号公报。

发明内容

发明要解决的课题

可是，在前述的最终外观检查中使用的表面检查装置虽然能够适用于以被镜面研磨的晶片为对象的检查，但在镜面研磨前的表面比较粗糙的状态下，由于噪声的水平较高，所以起因于滑移的阶差的检测较困难。

此外，因将作为检查对象的热处理后的硅晶片镜面研磨，起因于滑移发生的阶差被平滑化，滑移的检测较困难。

这样，在使用了在最终外观检查中使用的表面检查装置的滑移的检测方法中，有依存于硅晶片的表面状态、加工内容这一技术课题。此外，通过热处理使潜在于硅晶片的表面层的应变显现化的手法也在施以热处理这一点上成为破坏检查，在不容许热处理的条件下不能应用。

如以上这样，以往的检测滑移的发生的硅晶片的评价方法其能够应用的条件受限。所以，希望有能够尽量不受硅晶片的表面状态、加工内容的制约、而非破坏且非接触地检查给半导体器件的电气特性带来影响的滑移的硅晶片的评价方法。

本发明是着眼于前述的点而做出的，提供一种能够尽量不受硅晶片的表面状态、加工内容的制约、而非破坏且非接触地检查给半导体器件的电气特性带来影响的滑移的硅晶片的评价方法。

用来解决课题的手段

为了解决前述的课题，有关本发明的硅晶片的评价方法的特征在于，具有：划区解析步骤，将被热处理后的单晶的硅晶片的表面划分为1mm²以上25mm²以下的用等间隔的线段分隔的划区，基于红外偏振光的消偏振值来判别前述划区各自的应变的有无；以及筛选步骤，将在前述划区解析步骤中被判别为具有应变的划区的相邻数不超过规定的阈值的硅晶片评价为合格品。