[发明专利]电子装置的制造方法有效
申请号: | 201880083685.7 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN111527593B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 山本隼 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;C08G59/62;C08K3/36;C08L63/00;H01L23/29;H01L23/31;H05K3/28 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;程采 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
本发明的电子装置的制造方法包括:准备表面具有铜电路的部件的工序;通过在上述表面涂布保焊剂,在上述铜电路上形成OSP膜的涂布工序;和利用密封用树脂组合物将上述铜电路密封的密封工序,上述密封工序在不进行去除在上述涂布工序中形成的上述OSP膜的清洗工序的条件下实施,上述密封用树脂组合物包含环氧树脂、固化剂和密合助剂,上述保焊剂包含咪唑化合物。
技术领域
本发明涉及电子装置的制造方法。
背景技术
在用于制造电子装置的模具底部填充用密封材料中,为了提高流动性,开发了各种各样的技术。作为这种技术,可以举出例如在专利文献1中记载的技术。根据专利文献1,记载了以下内容:在将利用N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷进行了表面处理的填充剂与树脂材料混合时,能够在宽的剪切速率范围内实现低粘度。并且,根据专利文献1,记载了以下内容:在使用利用N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷进行了表面处理的填充剂来制作树脂组合物时,填充剂的凝聚性降低。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-140389号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
关于配置于印刷配线基板等基板的铜电路,例如在其生产工序中为了抑制铜电路的氧化而涂布保焊剂。由此,在铜电路的表面形成避免铜电路氧化的膜(OrganicSolderability Preservative膜、OSP膜:有机保焊膜)。
在现有的电子装置的制造方法中,利用密封用树脂组合物将铜电路密封时,预先清洗OSP膜将其去除。然而,去除OSP膜的工序会导致电子装置的生产率下降。
为了提高电子装置的生产率,本发明的发明人研究使用专利文献1中记载的密封材料,不通过清洗来去除OSP膜地制造电子装置。然而,确定了在使用现有的密封材料时,密封材料的固化物与铜电路的密合性下降。
本发明的课题在于提供一种以不进行去除OSP膜的清洗工序为前提、提高密封用树脂组合物的固化物与铜电路的密合性的电子装置的制造方法。
用于解决技术课题的手段
本发明的发明人以不进行去除OSP膜的清洗工序为前提,为了提高密封用树脂组合物的固化物与铜电路的密合性,对密封用树脂组合物的原料成分进行了研究。结果发现当密封用树脂组合物含有特定的密合助剂时,在导入密封用树脂组合物时OSP膜被破坏,即使不进行清洗工序,密封用树脂组合物与铜电路的密合性也会提高。
根据以上内容,本发明的发明人发现通过采用特定的密合助剂,密封用树脂组合物与铜电路的密合得到提高,从而完成了本发明。
根据本发明,提供一种电子装置的制造方法,其包括:
准备表面具有铜电路的部件的工序;
通过在上述表面涂布保焊剂(preflux),在上述铜电路上形成OSP膜的涂布工序;和
利用密封用树脂组合物将上述铜电路密封的密封工序,
上述密封工序在不进行去除在上述涂布工序中形成的上述OSP膜的清洗工序的条件下实施,
上述密封用树脂组合物包含环氧树脂、固化剂和密合助剂,
上述保焊剂包含咪唑化合物。
发明的效果
根据本发明,能够提供一种即使在密封形成有OSP膜的铜电路的情况下,密封用树脂组合物与铜电路的密合性也会提高的电子装置的制造方法。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造