[发明专利]电子装置的制造方法有效
| 申请号: | 201880083685.7 | 申请日: | 2018-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN111527593B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
| 发明(设计)人: | 山本隼 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;C08G59/62;C08K3/36;C08L63/00;H01L23/29;H01L23/31;H05K3/28 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;程采 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
1.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备在表面具有铜电路的部件的工序;
通过在所述表面涂布保焊剂,在所述铜电路上形成有机保焊膜(OSP膜)的涂布工序;和
利用密封用树脂组合物将所述铜电路密封的密封工序,
所述密封工序在不进行去除在所述涂布工序中形成的所述OSP膜的清洗工序的条件下实施,
所述密封用树脂组合物包含环氧树脂、固化剂和密合助剂,
所述保焊剂包含咪唑化合物。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
所述密合助剂含有选自硫醇基、羧基和氨基中的1种以上。
3.根据权利要求2所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
所述密合助剂含有所述氨基,
所述氨基包含杂环氨基。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
所述密封用树脂组合物中的密合助剂的含量相对于所述密封用树脂组合物的总固体成分为0.010质量份以上1.0质量份以下。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
所述密封用树脂组合物中的密合助剂的含量相对于所述环氧树脂和所述固化剂的合计量为0.10质量份以上10质量份以下。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
所述密封用树脂组合物还包含无机填充材料,
所述无机填充材料包含二氧化硅。
7.根据权利要求6所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
所述无机填充材料的体积基准的累积50%粒径D50为0.1μm以上50μm以下。
8.根据权利要求1~3中任一项所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
所述固化剂包含酚醛树脂系固化剂。
9.根据权利要求1~3中任一项所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
在所述涂布工序中,所述OSP膜的厚度为0.05μm以上1.0μm以下。
10.根据权利要求1~3中任一项所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
所述密封工序通过模塑成型进行。
11.根据权利要求10所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
在所述密封工序中,所述模塑成型的温度为100℃以上240℃以下。
12.根据权利要求10所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
在所述密封工序中,所述模塑成型的方法为选自传递模塑成型法、压缩模塑成型法和注射成型法中的1种。
13.根据权利要求1~3中任一项所述的电子装置的制造方法,其特征在于,
该电子装置为印刷配线基板或成型电路部件(Molded Interconnect Device:MID)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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