[发明专利]包含碱溶性树脂和交联剂的负型剥离抗蚀剂组合物以及在衬底上制造金属膜图案的方法

说明书

一个目的是提供一种可以形成精细的抗蚀剂图案并保持它们的抗蚀剂组合物。另一个目的是提供一种负型剥离抗蚀剂组合物，其可以减少由该组合物制成的抗蚀剂图案的缺陷。本发明的另一个目的是提供一种负型剥离抗蚀剂组合物，由该组合物制成的抗蚀剂图案的可去除性良好。[方案]本发明提供了包含碱溶性树脂和交联剂的负型剥离抗蚀剂组合物。并且本发明提供了一种在衬底上制造金属膜图案的方法。本发明提供一种用于制造器件的方法，其包括金属膜图案制造方法。

技术领域

本发明涉及一种包含碱溶性树脂和交联剂的负型(negative tone)剥离(liftoff)抗蚀剂组合物。本发明涉及在衬底上制造金属膜图案的方法。并且，本发明涉及一种用于制造器件的方法，其包括金属膜图案制造方法。

背景技术

因为存在要求具有更高性能的更多小型化器件的趋势，所以在器件(例如，半导体器件、FPD器件)中需要更精细的图案化。通常将使用光致抗蚀剂(以下简称为“抗蚀剂”，即光刻胶)的光刻技术用于精细加工。如图1所示，已知一种制造电极的剥离工艺，其特征在于去除经图案化的抗蚀剂层上不必要的电极部分。相反，典型的电极蚀刻工艺使用抗蚀剂图案作为掩模以去除(通常通过干法蚀刻)抗蚀剂图案下方的电极以获得所设计的电极图案。

在这种情况下，研究了用于形成剥离图案的特定的负型光致抗蚀剂组合物，将其涂布在下层上并与下层同时显影(专利文献1)。

并且，对负作用化学放大型光致抗蚀剂组合物进行了研究(专利文献2)，但是未尝试剥离图案化工艺。

[引文清单]

[专利文献]

[专利文献1]JP2005-37414A

[专利文献2]JP4799800B2

发明内容

[技术问题]

本发明人认为，更精细的抗蚀剂图案(例如，具有更高的纵横比)面对更严格的条件，用于形成并在随后的工艺中保持图案形状。发明人认为减少缺陷(例如图案塌陷)对于负型剥离抗蚀剂层是有利的。并且发明人认为，更精细的图案的良好可去除性在剥离工艺中是有利的。

发明人进行了深入的研究。并且发明人发现了包含碱溶性树脂和交联剂的负型剥离抗蚀剂组合物，其可以形成能够表现出上述性能的负型剥离抗蚀剂层。

[解决问题的方法]

一种负型剥离抗蚀剂组合物，包含：(A)碱溶性树脂；(B)下式(1)表示的交联剂；和(C)下式(2)表示的交联剂，其中

R₁是C_2-8烷氧基烷基，R₂是C_2-8烷氧基烷基，

R₃为未取代或取代有C_1-6烷基的C_6-10芳基，未取代或取代有C_1-6烷基的C_1-8烷基，或-NR₁R₂，

R₄为未取代或取代有C_1-6烷基的C_6-10芳基，未取代或取代有C_1-6烷基的C_1-8烷基，或-NR₁R₂，

R₅是未取代或取代有C_1-6烷基的C_1-20烷基，

l为1、2、3或4，m为0、1或2，n为0、1或2，且l+m+n≤6。