[发明专利]利用嵌入式刷新进行漂移减轻

说明书

本申请涉及利用嵌入式刷新进行漂移减轻。可以使用具有不同极性的写入电压和读取电压分别对存储器单元进行写入和读取。例如，可以通过施加第一写入电压对存储器单元进行写入，且可以随后通过施加具有第一极性的第一读取电压对所述存储器单元进行读取。可以利用具有第二极性的至少一个附加(例如，第二)读取电压‑回退电压来将存储器单元返回到其原始状态。因此，回退电压可以减轻由第一读取电压引起的单元的电压分布方面的偏移。

交叉引用

本专利申请要求由托尔托雷利(Tortorelli)等人于2018年12月11日提交的、标题为“利用嵌入式刷新进行漂移减轻(Drift Mitigation with Embedded Refresh)”的PCT申请号PCT/US2018/064928的优先权，且该申请要求由托尔托雷利等人于2017年12月28日提交的、标题为“利用嵌入式刷新进行漂移减轻”的美国专利申请号15/857,125的优先权，各申请转让给其受让人，并且各自的全部内容明确地通过引用并入本文。

技术领域

技术领域涉及利用嵌入式刷新进行存储器单元的漂移减轻。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在各种电子装置(诸如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器等)中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。例如，二进制装置具有两种状态，通常用逻辑1或逻辑0表示。在其他系统中，可以存储两种以上的状态。为了存取所存储的信息，电子装置的组件可以读取或读出存储器装置中的所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可以在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，包括磁硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、闪存存储器、相变存储器(PCM)以及其它存储器装置。存储器装置可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器(诸如PCM)即使在没有外部电源的情况下，也可以维持所存储的逻辑状态持续较长的时间段。诸如DRAM的易失性存储器随着时间的推移可能失去所存储的状态，除非它被外部电源周期性地刷新。

通常，改进存储器装置可以包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保留、降低功率消耗或降低制造成本等其他度量。存取操作可能导致存储器单元的阈值电压的偏移(例如，漂移)。此类偏移可能导致与随后读取存储器单元相关的可靠性降低，并且在某些情形下可能导致数据丢失。

发明内容

描述了一种方法。所述方法可以包含向与第一存取线和第二存取线耦接的存储器单元施加写入电压；在施加所述写入电压之后，向所述存储器单元施加具有第一极性的第一读取电压；在施加所述第一读取电压之后，向所述存储器单元施加具有不同于所述第一极性的第二极性的第二读取电压，其中施加所述第二读取电压与所述存储器单元的刷新操作相关联；以及至少部分地基于施加所述第一读取电压来确定所述存储器单元的逻辑状态。

描述了另一种方法。所述方法可以包含向与第一存取线和第二存取线耦接的存储器单元施加写入电压；在施加所述写入电压之后，向所述存储器单元施加具有第一极性的第一读取电压；在施加所述第一读取电压之后，向所述存储器单元施加具有不同于所述第一极性的第二极性的第二读取电压；在施加所述第二读取电压之后，向所述存储器单元施加具有所述第一极性的第三读取电压，其中施加所述第三读取电压与所述存储器单元的刷新操作相关联；在施加所述第三读取电压之后，向所述存储器单元施加具有所述第一极性的第四读取电压，其中施加所述第四读取电压与所述存储器单元的所述刷新操作相关联；以及至少部分地基于施加所述第一读取电压来确定所述存储器单元的逻辑状态。