[发明专利]利用嵌入式刷新进行漂移减轻

权利要求书

1.一种用于操作存储器装置的方法，包括：

向与第一存取线和第二存取线耦接的存储器单元施加写入电压；

在施加所述写入电压之后，向所述存储器单元施加具有第一极性的第一读取电压；

在施加所述第一读取电压之后，向所述存储器单元施加具有不同于所述第一极性的第二极性的第二读取电压，其中施加所述第二读取电压与所述存储器单元的刷新操作相关联；以及

至少部分地基于施加所述第一读取电压来确定所述存储器单元的逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在施加所述第二读取电压之后，向所述存储器单元施加具有所述第一极性的第三读取电压，其中施加所述第三读取电压与所述存储器单元的刷新操作相关联。

3.一种用于操作存储器装置的方法，包括：

向与第一存取线和第二存取线耦接的存储器单元施加写入电压；

在施加所述写入电压之后，向所述存储器单元施加具有第一极性的第一读取电压；

在施加所述第一读取电压之后，向所述存储器单元施加具有不同于所述第一极性的第二极性的第二读取电压；

在施加所述第二读取电压之后，向所述存储器单元施加具有所述第一极性的第三读取电压，其中施加所述第三读取电压与所述存储器单元的刷新操作相关联；

在施加所述第三读取电压之后，向所述存储器单元施加具有所述第一极性的第四读取电压，其中施加所述第四读取电压与所述存储器单元的所述刷新操作相关联；以及

至少部分地基于施加所述第一读取电压来确定所述存储器单元的逻辑状态。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

在确定所述存储器单元的所述逻辑状态之后，将所述第四读取电压降低到第五电压。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述写入电压大于所述第一读取电压、所述第二读取电压、所述第三读取电压和所述第四读取电压。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三读取电压大于所述第四读取电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一极性包括正极性，并且所述第二极性包括负极性。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一极性包括负极性，并且所述第二极性包括正极性。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述写入电压具有所述第一极性。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述写入电压具有所述第二极性。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元包括包括有硫族化物的多层级单元MLC。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元包括存储器存储元件和选择器装置。

13.一种存储器装置，包括：

存储器单元；

第一存取线，与所述存储器单元耦接；

第二存取线，与所述存储器单元耦接；以及

存储器控制器，与所述第一存取线和所述第二存取线耦接，所述存储器控制器能够操作以：

向所述存储器单元施加写入电压，其中所述写入电压包括第一极性或第二极性；

在施加所述写入电压之后，向所述存储器单元施加具有所述第一极性的第一读取电压；

在施加所述第一读取电压之后，向所述存储器单元施加具有所述第二极性的第二读取电压；

在施加所述第二读取电压之后，向所述存储器单元施加具有所述第一极性的第三读取电压，其中所述第二读取电压大于所述第三读取电压，并且其中施加所述第三读取电压与所述存储器单元的刷新操作相关联；以及

至少部分地基于施加所述第一读取电压来确定所述存储器单元的逻辑状态。