[发明专利]相机封装件、相机封装件的制造方法以及电子设备在审
| 申请号: | 201880082564.0 | 申请日: | 2018-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN111512444A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
| 发明(设计)人: | 松谷弘康 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;B29C39/10;G02B3/00;H04N5/369;B29L11/00 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 相机 封装 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.相机封装件的制造方法,包括:
在用于保护固态摄像元件的透明基板的上侧处的透镜形成区域的周围形成高接触角膜;
在所述透明基板的上侧处的所述透镜形成区域中滴入透镜材料;以及
将所滴入的所述透镜材料通过模具成型,以形成透镜。
2.根据权利要求1所述的相机封装件的制造方法,
其中,所述高接触角膜是接触角大于所述透明基板的接触角的膜。
3.根据权利要求1所述的相机封装件的制造方法,还包括:
在所述透明基板的上表面上形成附着力促进剂;以及
在所述附着力促进剂上的所述透镜形成区域的周围形成所述高接触角膜。
4.根据权利要求3所述的相机封装件的制造方法,
其中,所述高接触角膜是接触角大于所述附着力促进剂的接触角的膜。
5.根据权利要求1所述的相机封装件的制造方法,还包括:
在所形成的所述透镜的上表面和所述透镜周围的所述高接触角膜的上表面上形成防反射膜。
6.相机封装件,包括:
固态摄像元件;
透镜,所述透镜形成在用于保护所述固态摄像元件的透明基板的上侧处;和
高接触角膜,所述高接触角膜形成在所述透明基板的上侧处的所述透镜周围。
7.根据权利要求6所述的相机封装件,
其中,所述高接触角膜是接触角大于所述透明基板的接触角的膜。
8.根据权利要求6所述的相机封装件,
其中,所述高接触角膜形成在所述透明基板上。
9.根据权利要求6所述的相机封装件,还包括:
所述透明基板上的附着力促进剂,
其中,所述高接触角膜和所述透镜形成在所述附着力促进剂上。
10.根据权利要求6所述的相机封装件,还包括:
所述透明基板上的红外截止滤光片,
其中,所述高接触角膜和所述透镜形成在所述红外截止滤光片上。
11.根据权利要求6所述的相机封装件,还包括:
防反射膜,其位于所述高接触角膜的上表面和所述透镜的上表面上。
12.电子设备,其包括:
相机封装件,所述相机封装件包括:
固态摄像元件;
透镜,所述透镜形成在用于保护所述固态摄像元件的透明基板的上侧处;和
高接触角膜,所述高接触角膜形成在所述透明基板的上侧处的所述透镜周围,以及
透镜模块,所述透镜模块包括:布置在所述相机封装件上方的至少一个带透镜的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





