[发明专利]将漏斗装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法及并入有漏斗装置的电容器配置

权利要求书

1.一种形成存储器设备的方法，其包括：

形成延伸到支撑结构中的开口；

用底部电极材料加衬所述开口，每一开口内的所述底部电极材料形成具有内部区域的向上开口容器形底部电极；所述向上开口容器形底部电极中的每一者的上表面凹入到所述支撑结构的上表面下方；

用绝缘材料加衬所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域以使所述向上开口容器形底部电极中的每一者的所述内部区域变窄；

在所述向上开口容器形底部电极中的每一者的所述变窄内部区域内形成上部电极；所述上部电极、所述绝缘材料及所述向上开口容器形底部电极中的每一者一起形成多个电容器；

形成跨所述上部电极延伸且使所述上部电极彼此耦合的板材料；及

形成将所述向上开口容器形底部电极中的每一者电耦合到所述板材料的漏斗装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料是铁电绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括与Ge、Si、O、N及C中的一或多者组合的Ti、Ni及Nb中的一或多者。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括连续垂直延伸区段。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括不连续垂直延伸区段。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口中的每一者具有在容纳在其中的所述向上开口容器形底部电极的所述凹入上表面上方的暴露侧壁区域；且其中所述漏斗装置的所述形成包括形成漏斗装置材料以沿着所述暴露侧壁区域且沿着所述向上开口容器形底部电极中的每一者的所述内部区域延伸。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括漏斗装置材料；且其中所述支撑结构包括第二材料上方的第一材料，其中所述第一材料与所述第二材料之间的界面在所述向上开口容器形底部电极中的每一者的所述凹入上表面下面；且所述方法进一步包括：

在形成所述上部电极之后，移除所述第一材料以使所述电容器中的每一者的上部区域暴露；所述电容器中的每一者的所述暴露上部区域具有暴露上部侧壁区域，所述暴露上部侧壁区域包含所述向上开口容器形底部电极中的相关联者的部分及在所述向上开口容器形底部电极中的所述相关联者的所述部分上方的所述绝缘材料的部分；

形成所述漏斗装置材料以沿着所述电容器中的每一者的所述暴露上部侧壁区域延伸；沿着所述暴露上部侧壁区域中的每一者的所述漏斗装置材料经配置为沿着所述向上开口容器形底部电极中的所述相关联者的所述部分且沿着所述绝缘材料的所述部分延伸的垂直延伸漏斗装置；及

将所述板材料形成为在所述电容器上方且沿着所述电容器的所述上部侧壁区域；沿着所述电容器的所述上部侧壁区域的所述板材料直接抵靠所述垂直延伸漏斗装置。

8.一种存储器设备，其包括：

水平隔开向上开口容器形底部电极，其通过支撑结构支撑；所述向上开口容器形底部电极的上表面在所述支撑结构的上表面下方；所述支撑结构的垂直延伸表面在所述向上开口容器形底部电极的所述上表面上方；

漏斗装置材料，其沿着所述支撑结构的所述垂直延伸表面，且在所述向上开口容器形底部电极的内部区域内；

绝缘材料，其在所述漏斗装置材料上方且在所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域内；所述绝缘材料经配置为所述向上开口容器形底部电极内的向上开口容器形绝缘结构；

上部电极，其延伸到所述向上开口容器形绝缘结构中；所述上部电极、所述向上开口容器形绝缘结构及所述向上开口容器形底部电极一起组成多个电容器；及

板材料，其跨所述上部电极延伸且使所述上部电极彼此耦合；所述板材料直接抵靠所述漏斗装置材料；所述漏斗装置材料将所述底部电极电耦合到所述板材料且经配置以使过量电荷的至少部分从所述向上开口容器形底部电极放电到所述板材料。

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述漏斗装置包括与Ge、Si、O、N及C中的一或多者组合的Ti、Ni及Nb中的一或多者。